[發(fā)明專利]用于電子裝置的差分熔絲讀出電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010779577.2
• 申請(qǐng)日: 2020-08-05
• 公開（公告）號(hào): CN112863585B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 褚煒路;潘棟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): G11C17/16
• 分類號(hào): G11C17/16;G11C17/18
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本公開涉及用于電子裝置的差分熔絲讀出電路。一種電路可包含電壓線及鎖存電路。所述鎖存電路的特征可在于開關(guān)電壓閾值且可耦合到所述電壓線。所述鎖存電路可產(chǎn)生用以確定熔絲的狀態(tài)的輸出。所述電路還可包含經(jīng)由所述電壓線耦合到所述鎖存電路的產(chǎn)生電路，其中所述產(chǎn)生電路經(jīng)配置以將所述電壓線預(yù)充電到系統(tǒng)邏輯低電壓與所述開關(guān)電壓閾值之間的第一電壓。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及用于電子裝置的差分熔絲讀出電路。

背景技術(shù)

此部分旨在向讀者介紹可能與本發(fā)明技術(shù)的各個(gè)方面相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域的各個(gè)方面，這些方面在下文中描述和/或要求。相信此論述有助于向讀者提供背景信息以促進(jìn)對(duì)本發(fā)明的各方面的更好理解。因此，應(yīng)理解，應(yīng)鑒于此來閱讀這些陳述，而不是作為對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的認(rèn)可。

一般來說，電子裝置，例如半導(dǎo)體裝置、存儲(chǔ)器芯片、微處理器芯片、圖像芯片等等，可包含用于存儲(chǔ)信息的熔絲的集合。舉例而言，電子裝置，例如半導(dǎo)體管芯，可包含一或多個(gè)熔絲陣列(例如，經(jīng)編程以存儲(chǔ)信息的熔絲或反熔絲的集合或網(wǎng)絡(luò))。電子裝置可將一或多個(gè)熔絲陣列包含在相應(yīng)電子裝置內(nèi)的一或多個(gè)位置中以為相應(yīng)電子裝置的不同電路組件提供支撐。舉例而言，熔絲陣列可用于為集成于半導(dǎo)體管芯上的電路提供電壓漂移或提供有關(guān)半導(dǎo)體管芯上的相應(yīng)電路組件的信息(例如，冗余信息、晶片批號(hào)、管芯批號(hào)、晶片上的管芯方位)。

為了節(jié)省空間且使電子裝置更緊密，用于電子元件的不同電路組件的熔絲陣列可定位于電子元件中的一個(gè)位置中，由此替換其它設(shè)計(jì)中位于整個(gè)裝置的離散熔絲。半導(dǎo)體管芯可從熔絲陣列讀取信息(例如，冗余信息、晶片批號(hào)、管芯批號(hào)、晶片上的管芯方位)且將所述信息發(fā)射到安置于電子裝置內(nèi)的某一位置處的相應(yīng)電路組件。

出于這種考慮，應(yīng)注意，電子裝置的條件會(huì)影響熔絲讀數(shù)過程的可靠性。舉例而言，電源的條件或設(shè)定(例如，其輸出)，例如在裝置啟動(dòng)、初始化或配置之后的穩(wěn)定周期期間，可導(dǎo)致錯(cuò)誤熔絲讀取。任何此類讀取錯(cuò)誤可在整個(gè)裝置操作中導(dǎo)致持續(xù)性問題，直到下次啟動(dòng)、初始化或配置為止。因此，需要提供用于確保精確及高效的熔絲讀取操作的改進(jìn)系統(tǒng)和方法。然而，這些改進(jìn)系統(tǒng)及方法可耗費(fèi)相對(duì)較長(zhǎng)的時(shí)間量來讀取熔絲狀態(tài)，例如，歸因于用于將再生鎖存電路充電到開關(guān)閾值以使得能夠讀取與熔絲狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的輸出的時(shí)間量。以此方式，可能需要提供用于改進(jìn)(例如，減少)用以執(zhí)行熔絲讀取操作的時(shí)間段的系統(tǒng)和方法。

發(fā)明內(nèi)容

在一個(gè)方面中，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電路，其包括：電壓線；鎖存電路，其特征在于開關(guān)電壓閾值且耦合到所述電壓線，其中所述鎖存電路經(jīng)配置以產(chǎn)生用以確定熔絲的狀態(tài)的輸出；和產(chǎn)生電路，其經(jīng)由所述電壓線耦合到所述鎖存電路，其中所述產(chǎn)生電路經(jīng)配置以將所述電壓線預(yù)充電到系統(tǒng)邏輯高電壓與所述開關(guān)電壓閾值之間的第一電壓。

在另一方面中，本申請(qǐng)進(jìn)一步提供一種半導(dǎo)體裝置，其包括：差分熔絲讀出電路，其經(jīng)配置以檢測(cè)熔絲陣列的熔絲的狀態(tài)，其中所述差分熔絲讀出電路包括特征在于開關(guān)電壓閾值的鎖存電路；和控制系統(tǒng)，其經(jīng)配置以：將預(yù)充電信號(hào)發(fā)送到所述差分熔絲讀出電路，其中所述預(yù)充電信號(hào)經(jīng)配置以將與所述熔絲相關(guān)聯(lián)的第一電壓線預(yù)充電到系統(tǒng)邏輯低電壓與所述開關(guān)電壓閾值之間的第一電壓；且將讀取信號(hào)發(fā)送到經(jīng)配置以放大所述第一電壓線上存在的電壓信號(hào)的所述鎖存電路，其中在發(fā)送所述預(yù)充電信號(hào)之后發(fā)送所述讀取信號(hào)。

在又一方面中，本申請(qǐng)進(jìn)一步提供一種方法，其包括：將預(yù)充電信號(hào)發(fā)射到差分熔絲讀出電路，其中所述預(yù)充電信號(hào)經(jīng)配置以將與熔絲相關(guān)聯(lián)的第一電壓線預(yù)充電到系統(tǒng)邏輯低電壓與開關(guān)電壓閾值之間的第一電壓，所述開關(guān)電壓閾值與所述差分熔絲讀出電路相關(guān)聯(lián)；和將讀取信號(hào)發(fā)射到經(jīng)配置以放大所述第一電壓線上存在的電壓信號(hào)的鎖存電路，其中在發(fā)送所述預(yù)充電信號(hào)之后發(fā)送所述讀取信號(hào)。

附圖說明

在閱讀以下詳細(xì)描述并且參考圖式之后可更好地理解本公開的各個(gè)方面，在圖式中：

圖1為說明根據(jù)本公開的實(shí)施例的電子裝置的簡(jiǎn)化框圖，所述電子裝置包含用于讀取不同熔絲陣列中的熔絲的狀態(tài)的差分熔絲讀出電路；