[發(fā)明專利]一種光控太赫茲波調(diào)制裝置及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010779066.0
• 申請日: 2020-08-05
• 公開（公告）號: CN112034634A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王冬
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州睿翔智臻光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/00
• 分類號: G02F1/00;G02F1/03
• 代理公司: 北京科家知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11427
• 代理人: 宮建華

1.一種光控太赫茲波調(diào)制裝置，包括：依次設(shè)置的襯底、緩沖層、異質(zhì)層、第一電極、第二電極以及電壓電流源；其特征在于，

所述電壓電流源包括正極輸出端和負(fù)極輸出端，所述襯底包括相對的第一表面及第二表面，所述第一電極設(shè)置于所述第一表面、所述第二電極設(shè)置于所述第二表面，所述異質(zhì)層上形成若干列晶體管，若干列晶體管之間相互串聯(lián)，若干列晶體管歐姆電極均連接有第一電極，相鄰兩列的晶體管的柵極相互連接，所述柵極連接第二電極，所述歐姆電極、柵極、第一電極和第二電極形成復(fù)合超穎表面結(jié)構(gòu)，所述柵極調(diào)控每列相鄰兩個歐姆電極之間的溝道電導(dǎo)，所述復(fù)合超穎表面結(jié)構(gòu)在共振超穎表面與線柵之間轉(zhuǎn)換。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光控太赫茲波調(diào)制裝置，其特征在于：所述電壓電流源包括正極輸出端和負(fù)極輸出端，所述正極輸出端與所述第一電極電連接，所述負(fù)極輸出端與所述第二電極電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光控太赫茲波調(diào)制裝置及其制備方法，其特征在于：當(dāng)所述襯底進(jìn)入雪崩擊穿狀態(tài)時轉(zhuǎn)換為電流源，所述電壓電流源調(diào)節(jié)輸出至所述襯底的電流以調(diào)整所述襯底的太赫茲波透過率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光控太赫茲波調(diào)制裝置，其特征在于：所述襯底的厚度不大于1500μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光控太赫茲波調(diào)制裝置，其特征在于：所述第一電極和所述第二電極為條形電極或環(huán)形電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光控太赫茲波調(diào)制裝置，其特征在于：襯底采用厚度為1.5mm的石英晶體。

7.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的光控太赫茲波調(diào)制裝置的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1: 預(yù)處理襯底，將襯底依次進(jìn)行超聲清洗，超聲清洗的清洗溫度為50℃，每項(xiàng)超聲清洗的時間均為20分鐘；

S2: 將超聲清洗過的襯底放在100℃的熱臺上烘干8-12分鐘進(jìn)行，得到預(yù)處理好的襯底；

S3: 在預(yù)處理后的襯底上進(jìn)行光刻，形成不對稱鋁開口諧振環(huán)圖形；

S4: 配置鈣鈦礦前驅(qū)體溶液，采用旋涂或刮涂方法將該溶液涂覆在刻有周期分布鋁開口諧振環(huán)圖形的襯底上，再將其放置于溫度為95-105℃熱臺上退火10-15分鐘，在襯底及鋁圖形上形成40-80nm厚的平整的鈣鈦礦薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種光控太赫茲波調(diào)制裝置的其制備方法，其特征在于：所述旋涂方法包括第一步旋涂和第二步旋涂。