[發明專利]一種存儲器的形成方法和存儲器

在審

• 申請號: 202010778887.2
• 申請日: 2020-08-05
• 公開（公告）號: CN114068420A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 張令國;權鍾完;張林濤;周賢貴;劉旭
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底中至少包括字線結構以及有源區，以及位于所述基底頂部表面的底介質層和位線接觸層，所述底介質層中具有位線接觸開口，所述位線接觸開口暴露出所述基底中的所述有源區，所述位線接觸層覆蓋所述底介質層且填充所述位線接觸開口；

刻蝕部分所述位線接觸層，形成不同高度的所述位線接觸層；

在所述位線接觸層頂部表面形成導電層，于垂直于所述字線結構延伸的方向上，所述導電層頂部表面位于不同高度；

于所述字線結構延伸的方向上，所述導電層頂部表面位于不同高度；

在所述導電層頂部表面形成頂介質層；

依次刻蝕部分所述頂介質層、所述導電層和所述位線接觸層，形成分立的位線結構。

2.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述刻蝕部分所述位線接觸層，形成不同高度的所述位線接觸層，包括：

在所述位線接觸層頂部表面形成光刻掩膜層；

兩次圖形化所述光刻掩膜層，形成第一掩模圖案和第二掩模圖案，所述第一掩模圖案包括成行以及成列排列的多個第一覆蓋圖案，所述第二掩模圖案包括成行以及成列排列的多個第二覆蓋圖案，所述第一覆蓋圖案和所述第二覆蓋圖案在字線結構延伸方向和與字線垂直方向上依次交替排列；

基于間隔排列的所述第一覆蓋圖案和所述第二覆蓋圖案刻蝕部分所述位線接觸層，形成不同高度的所述位線接觸層；

去除所述間隔排列的所述第一覆蓋圖案和所述第二覆蓋圖案。

3.根據權利要求2所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述間隔排列的所述第一覆蓋圖案和所述第二覆蓋圖案為圓形或橢圓形。

4.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述依次刻蝕部分所述頂介質層、所述導電層和所述位線接觸層，形成分立的位線結構后，于所述垂直于所述字線結構延伸的方向上，所述位線結構中的導電層的連線呈波浪線，于所述字線結構延伸的方向上，相鄰所述分立的位線結構中的導電層的高度不同。

5.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述在所述位線接觸層頂部表面形成導電層，包括：

在所述位線接觸層頂部表面形成導電膜；

刻蝕所述導電膜，在位于不同高度的所述位線接觸層頂部表面形成厚度一致的所述導電層。

6.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述在所述導電層頂部表面形成頂介質層，包括：

在所述導電層頂部表面形成頂介質膜；

對所述頂介質膜頂部表面進行平坦化處理形成所述頂介質層，所述頂介質層的頂部表面高度一致。

7.一種存儲器，其特征在于，包括：

基底，所述基底中至少包括字線結構以及有源區；

底介質層，所述底介質層位于所述基底頂部，且所述底介質層中具有位線接觸開口，所述位線接觸開口暴露出所述基底中的所述有源區；

分立的位線結構，所述位線結構的頂部表面于同一高度，所述位線結構包括：位于所述底介質層頂部以及所述位線接觸開口中位線接觸層，位于所述位線接觸層頂部的導電層，以及位于所述導電層頂部的頂介質層；

其中，在位線結構延伸的方向上，同一所述位線結構中的所述導電層位于不同高度，且在字線結構延伸的方向上，相鄰所述位線結構中的所述導電層位于不同高度。

8.根據權利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述分立的位線結構中導電層的厚度一致。

9.根據權利要求7所述的存儲器，其特征在于，在所述位線結構延伸的方向上，所述導電層的連線呈波浪線。

10.根據權利要求7所述的存儲器，其特征在于，在字線結構延伸的方向上，位線結構中導電層按照預設高度順序依次交替排布。