[發(fā)明專利]磁阻效應(yīng)元件以及惠斯勒合金

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010777761.3
• 申請(qǐng)日: 2020-08-05
• 公開（公告）號(hào): CN112349832A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 犬伏和海;中田勝之;植村哲也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TDK株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L43/08
• 分類號(hào): H01L43/08;H01L43/10;C22C19/07
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;陳明霞

1.一種磁阻效應(yīng)元件，其特征在于，

具備：第一鐵磁性層、第二鐵磁性層、以及位于所述第一鐵磁性層與所述第二鐵磁性層之間的非磁性層，

所述第一鐵磁性層和所述第二鐵磁性層中的至少一個(gè)包含由下述通式(1)所表示的惠斯勒合金：

Co₂Fe_αX_β……(1)

式(1)中，X表示選自Mn、Cr、Si、Al、Ga和Ge中的一種以上的元素，α和β表示滿足2.3≤α+β、αβ、且0.5α1.9的數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻效應(yīng)元件，其特征在于，

所述惠斯勒合金是由下述通式(2)所表示的合金：

Co₂Fe_αGa_γY_β-γ……(2)

式(2)中，Y表示選自Mn、Cr、Si、Al和Ge中的一種以上的元素，α、β和γ表示滿足2.3≤α+β、αβ、且0.5α1.9、0.1≤γ的數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁阻效應(yīng)元件，其特征在于，

所述通式(2)中的β和γ表示滿足2×γβ的數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻效應(yīng)元件，其特征在于，

所述惠斯勒合金是由下述通式(3)所表示的合金：

Co₂Fe_αGe_δZ_β-δ……(3)

式(3)中，Z表示選自Mn、Cr、Si、Al和Ga中的一種以上的元素，α、β和δ表示滿足2.3≤α+β、αβ、且0.5α1.9、0.1≤δ的數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁阻效應(yīng)元件，其特征在于，

所述通式(3)中的β和δ表示滿足2×δβ的數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻效應(yīng)元件，其特征在于，

所述惠斯勒合金是由下述通式(4)所表示的合金：

Co₂Fe_αGa_γGe_δ……(4)

式(4)中，α、γ和δ表示滿足2.3≤α+γ+δ、αγ+δ、且0.5α1.9、0.1≤γ、0.1≤δ的數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁阻效應(yīng)元件，其特征在于，

所述通式(4)中的γ和δ表示滿足γδ的數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的磁阻效應(yīng)元件，其特征在于，

所述通式(4)中的α、γ和δ表示滿足2.3≤α+γ+δ2.66的數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁阻效應(yīng)元件，其特征在于，

所述通式(4)中的α、γ和δ表示滿足2.45α+γ+δ2.66的數(shù)。

10.根據(jù)權(quán)利要求6～9中任一項(xiàng)所述的磁阻效應(yīng)元件，其特征在于，

所述通式(4)中的δ表示滿足0.63δ1.26的數(shù)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁阻效應(yīng)元件，其特征在于，

所述通式(4)中的δ表示滿足0.84δ1.26的數(shù)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻效應(yīng)元件，其特征在于，

所述惠斯勒合金是由下述通式(5)表示的合金：

Co₂Fe_αGa_γGe_δMn_ε……(5)

式(5)中，α、γ、δ和ε表示滿足2.3≤α+γ+δ+ε、αγ+δ+ε、且0.5α1.9、0.1≤γ、0.1≤δ、0.1≤ε的數(shù)。