[發(fā)明專利]一種用于高壓電脈沖壓縮的延遲擊穿二極管

在審

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• 申請日: 2020-08-05
• 公開（公告）號: CN112071917A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 屈光輝;趙嵐;汪雅馨;徐鳴;蘭春鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 西安理工大學
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 西安弘理專利事務(wù)所 61214
• 代理人: 燕肇琪

1.一種用于高壓電脈沖壓縮的延遲擊穿二極管，其特征在于，包括有由上至下依次設(shè)置的上電極(1)、p型外延層(2)、半絕緣層(3)、下p型層(4)及下電極(5)；所述半絕緣層(3)為半絕緣GaAs層或外延本征砷化鎵層或外延低溫半絕緣砷化鎵層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于高壓電脈沖壓縮的延遲擊穿二極管，其特征在于，所述上電極(1)為金鍺鎳歐姆接觸電極或銀電極或鉑金電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于高壓電脈沖壓縮的延遲擊穿二極管，其特征在于，所述p型外延層(2)為p+GaAs上外延層，外延厚度為2nm-100um，外延摻雜濃度為1×10¹⁴/cm³-9×10²⁰/cm³。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于高壓電脈沖壓縮的延遲擊穿二極管，其特征在于，所述半絕緣層(3)為半絕緣GaAs層時其電子遷移率為1000cm²/Vs-12000cm²/Vs，電阻率10⁶-10¹⁰Ω/cm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于高壓電脈沖壓縮的延遲擊穿二極管，其特征在于，所述下p型層(4)為p+GaAs下外延層，外延厚度2nm-100um，外延摻雜濃度為1×10¹⁴/cm³-9×10²⁰/cm³。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于高壓電脈沖壓縮的延遲擊穿二極管，其特征在于，所述下層電極(5)為金鍺鎳歐姆接觸電極或銀電極或鉑金電極。