[發(fā)明專(zhuān)利]一種高純碳化硅晶體電阻率的檢測(cè)方法和裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010777544.4
• 申請(qǐng)日: 2020-08-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112067663A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李帥;趙建國(guó);李乃慶
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01N27/04
• 分類(lèi)號(hào): G01N27/04;G01R27/02;G01N21/25
• 代理公司: 北京君慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11716
• 代理人: 劉曉佳

1.一種高純碳化硅晶體電阻率的檢測(cè)方法，其特征在于，所述檢測(cè)方法包括以下步驟：

用光源照射碳化硅晶體，檢測(cè)碳化硅晶體的透光波長(zhǎng)，比較所述透光波長(zhǎng)與標(biāo)準(zhǔn)顏色波長(zhǎng)范圍的大小，根據(jù)比較結(jié)果判斷電阻率是否合格；所述標(biāo)準(zhǔn)顏色波長(zhǎng)范圍是電阻率合格的標(biāo)準(zhǔn)碳化硅晶體用同一光源照射后具有的透光顏色波長(zhǎng)的數(shù)值范圍；

當(dāng)所述透光波長(zhǎng)大于所述標(biāo)準(zhǔn)顏色波長(zhǎng)范圍的最大值時(shí)，判定電阻率不合格；當(dāng)所述透光波長(zhǎng)大于等于所述標(biāo)準(zhǔn)顏色波長(zhǎng)范圍的最小值，且小于等于最大值時(shí)，判定電阻率合格；當(dāng)所述透光波長(zhǎng)小于所述標(biāo)準(zhǔn)顏色波長(zhǎng)范圍的最小值時(shí)，精密檢測(cè)碳化硅晶體的電阻率后再進(jìn)行判定。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述光源采用發(fā)出光波長(zhǎng)560-580nm的冷光源；所述標(biāo)準(zhǔn)顏色波長(zhǎng)范圍是579-595nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)方法，其特征在于，當(dāng)所述透光波長(zhǎng)小于579nm且大于570nm時(shí)，精密檢測(cè)碳化硅晶體的電阻率后再進(jìn)行判定；當(dāng)所述透光波長(zhǎng)小于等于570nm時(shí)，判定電阻率不合格。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述電阻率合格的碳化硅晶體，處理后所得晶片的電阻率小于10^-6ohm/cm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述透光波長(zhǎng)的檢測(cè)方法如下：將光源的照射方向朝向碳化硅晶體的側(cè)部，并在碳化硅晶體的另一側(cè)接收透過(guò)碳化硅晶體的光并檢測(cè)透過(guò)光的三刺激值，根據(jù)三刺激值獲得透光波長(zhǎng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述碳化硅晶體采用厚度至少為5mm的晶錠；所述碳化硅晶體選自4H型碳化硅、6H型碳化硅中的一種或兩種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述碳化硅晶體采用物理氣相傳輸法制備獲得，所述物理氣相傳輸法包括在惰性氣氛下，采用分步降壓升溫構(gòu)建長(zhǎng)晶溫度場(chǎng)的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述分步降壓升溫構(gòu)建長(zhǎng)晶溫度場(chǎng)的步驟包括：于壓力500mbar、溫度1400℃-1800℃下保溫2-8h；于壓力250mbar、溫度2000℃-2050℃下保溫2-8h；于壓力125mbar、溫度2080℃-2150℃保溫2-8h；于壓力60mbar、溫度2100-2150℃保溫25-40h。

9.一種高純碳化硅晶體電阻率的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述檢測(cè)裝置包括：

感光檢測(cè)模塊，用于接收感應(yīng)透過(guò)碳化硅晶體的透光，并檢測(cè)所述透光的透光波長(zhǎng)；

判斷模塊，用于比較判斷所述感光檢測(cè)模塊檢測(cè)的透光波長(zhǎng)與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)顏色波長(zhǎng)范圍的大小，并根據(jù)比較結(jié)果判斷碳化硅晶體的電阻率合格、不合格或需要精密檢測(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述檢測(cè)裝置還包括顯示模塊，用于輸出并顯示所述感光檢測(cè)模塊檢測(cè)的透光的透光波長(zhǎng)和/或三刺激值，和所述判斷模塊對(duì)碳化硅晶體電阻率判斷的結(jié)果。