[發明專利]一種快速開關塑封高壓硅堆的制備工藝

在審

• 申請號: 202010777337.9
• 申請日: 2020-08-05
• 公開（公告）號: CN112086368A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 王志敏;黃麗鳳;張英宏
• 申請（專利權）人: 如皋市大昌電子有限公司
• 主分類號: H01L21/52
• 分類號: H01L21/52;H01L21/54;H01L21/56;H01L23/31;H01L25/07
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 崔立青;王玉梅

1.一種快速開關塑封高壓硅堆的制備工藝，其特征在于，該快速開關塑封高壓硅堆的制備工藝包括以下幾個步驟：

步驟一、選取若干個的硅高頻二極管的管心，分向二極管管心預焊盤裝填，把正極朝上的分向二極管管心放入預焊用石墨焊接板，使其在預焊用石墨焊接板孔內全部負極朝上，焊片預焊盤裝填，負極朝上的整流二極管管心上面再裝填一層焊片；

步驟二、選用N-型單晶硅片，采用純水清洗，硅片清洗后甩干，在140℃的氮氣箱內干燥處理，干燥處理時長為20-30min，接著進行擴散構成PN結；

步驟三、將步驟一中經過處理的整流二極管管心進行光刻，置于-6-1℃的腐蝕液中，腐蝕時間為20-30min，槽深125-140μm，控制腐蝕速率使得構成臺面負斜角40°-75°；

步驟四、將硅高頻二極管的管心固定在導電層上，在硅高頻二極管的管心和高頻陶瓷板之間填充絕緣包封材料，控制高頻陶瓷板的高度略低于硅高頻二極管的管心，露出硅高頻二極管的管心的頂部電極和高頻陶瓷板的頂部；

步驟五、對上述加工完成的高頻二極管的管心的頂部電極和高頻陶瓷板邊角殘料進行切割，對管芯進行清洗后，在N+層和P+層表面形成的歐姆接觸層上焊接引線，涂覆保護層，塑封成型，最終制得快速開關塑封高壓硅堆。

2.根據權利要求1所述的一種快速開關塑封高壓硅堆的制備工藝，其特征在于：純水的電阻率小于10MΩ.CM。

3.根據權利要求1所述的一種快速開關塑封高壓硅堆的制備工藝，其特征在于：氮氣的濃度維持在0.0348-0.04mol/L。

4.根據權利要求1所述的一種快速開關塑封高壓硅堆的制備工藝，其特征在于：絕緣包封材料選用一種絕緣樹脂粉末。

5.根據權利要求1所述的一種快速開關塑封高壓硅堆的制備工藝，其特征在于：所述保護層采用環氧樹脂復合材料涂料。

6.根據權利要求1所述的一種快速開關塑封高壓硅堆的制備工藝，其特征在于：所述高壓硅整流二極管UF約為0.4-0.6V。