[發(fā)明專利]一種基于磁光效應的介質折射率傳感器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010777079.4
• 申請日: 2020-08-05
• 公開（公告）號: CN111896499A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權）人: 中山科立特光電科技有限公司
• 主分類號: G01N21/41
• 分類號: G01N21/41
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于磁光效應的介質折射率傳感器，其特征在于，包括：基底、磁性材料層、金屬微納結構陣列，所述磁性材料層置于所述基底上，所述金屬微納結構陣列置于所述磁性材料層上，所述金屬微納結構陣列為一維周期性排列的金屬微納結構，所述金屬微納結構為條形，所述金屬微納結構的截面為圓弧，所述圓弧與所述磁性材料層的表面相切。

2.如權利要求1所述的基于磁光效應的介質折射率傳感器，其特征在于：所述金屬微納結構的截面還包括矩形部。

3.如權利要求2所述的基于磁光效應的介質折射率傳感器，其特征在于：所述矩形部置于磁性材料層內、所述金屬微納結構的下側。

4.如權利要求1-3任一項所述的基于磁光效應的介質折射率傳感器，其特征在于：所述基底的材料為非磁性材料。

5.如權利要求4所述的基于磁光效應的介質折射率傳感器，其特征在于：所述基底的材料為二氧化硅。

6.如權利要求5所述的基于磁光效應的介質折射率傳感器，其特征在于：所述磁性材料層的材料為磁性介質。

7.如權利要求6所述的基于磁光效應的介質折射率傳感器，其特征在于：所述磁性介質為鉍鐵石榴石。

8.如權利要求7所述的基于磁光效應的介質折射率傳感器，其特征在于：所述金屬微納結構陣列的材料為貴金屬。

9.如權利要求8所述的基于磁光效應的介質折射率傳感器，其特征在于：所述貴金屬為金或銀。

10.如權利要求9所述的基于磁光效應的介質折射率傳感器，其特征在于：所述矩形部的材料為貴金屬或硅。