[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010777052.5 | 申請日: | 2020-08-05 |
| 公開(公告)號: | CN111987238B | 公開(公告)日: | 2022-09-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳令戀 | 申請(專利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
陣列基板,所述陣列基板包括像素發(fā)光區(qū)和設(shè)置在所述像素發(fā)光區(qū)周側(cè)的像素冗余區(qū);
平坦層,所述平坦層設(shè)置在所述陣列基板上;
像素定義層,所述像素定義層設(shè)置在所述平坦層上,所述像素定義層上開設(shè)有位于所述像素發(fā)光區(qū)的第一開口和位于所述像素冗余區(qū)的第二開口;
有機發(fā)光層,所述有機發(fā)光層設(shè)置在所述第一開口內(nèi);
阻隔單元,所述阻隔單元用于阻隔水氧入侵,設(shè)置在所述第二開口內(nèi);以及
陰極,所述陰極設(shè)置在所述有機發(fā)光層和所述阻隔單元上;
封裝層,所述封裝層設(shè)置在所述陰極上,所述封裝層設(shè)置在所述像素定義層上并覆蓋所述有機發(fā)光層和所述阻隔單元;
其中,所述阻隔單元包括金屬層和金屬氧化層,所述金屬層為液態(tài)金屬層,所述金屬氧化層位于所述金屬層靠近所述封裝層的一面,所述金屬氧化層由所述金屬層氧化形成;所述金屬層的周側(cè)面與所述第二開口的口壁連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述液態(tài)金屬層為銦、鎵、錫和銦鎵共晶合金中的一種或四者中的任意組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述金屬層的厚度小于所述金屬氧化層的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述阻隔單元包括透明的干燥劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述第二開口貫穿所述平坦層。
6.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
在襯底上形成陣列結(jié)構(gòu)層以形成陣列基板,所述陣列基板包括像素發(fā)光區(qū)和設(shè)置在所述像素發(fā)光區(qū)周側(cè)的像素冗余區(qū);
在所述陣列基板上依次形成平坦層和像素定義層,所述像素定義層上開設(shè)有位于所述像素發(fā)光區(qū)的第一開口和位于所述像素冗余區(qū)的第二開口;
在所述第二開口內(nèi)形成阻隔單元,所述阻隔單元用于阻隔水氧入侵;
在所述第一開口內(nèi)打印有機發(fā)光層;
在所述有機發(fā)光層和所述阻隔單元上形成陰極;
在所述像素定義層、所述有機發(fā)光層和所述阻隔單元上形成封裝層;
所述在所述第二開口內(nèi)形成阻隔單元,包括:
于無氧環(huán)境采用噴墨打印方式在所述第二開口內(nèi)打印液態(tài)金屬材料,以形成液態(tài)金屬層;
通入氧氣對所述液態(tài)金屬層裸露的表面進行氧化處理,以形成金屬氧化層,所述液態(tài)金屬層的周側(cè)面與所述第二開口的口壁連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,在所述第二開口內(nèi)形成阻隔單元,包括:
采用噴墨打印方式在所述第二開口內(nèi)打印透明的液態(tài)干燥劑;
采用紫外照射或加熱的方式固化所述液態(tài)干燥劑。
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