[發明專利]準確獲取光刻參數的方法

有效

• 申請號: 202010777000.8
• 申請日: 2020-08-05
• 公開（公告）號: CN114063392B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 嚴勛
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;高翠花

1.一種準確獲取光刻參數的方法，其特征在于，包括如下步驟：

采用同一掩膜圖形作為掩膜，在不同的預設光刻參數下，對目標載體進行光刻，獲得多個目標圖形；

將所述目標圖形與標準圖形進行對比，獲得評估值，若所述目標圖形所對應的評估值大于或者等于預設值，則將所述目標圖形設定為有效圖形，若所述目標圖形所對應的評估值小于預設值，則將所述目標圖形設定為無效圖形，并對所述有效圖形或者所述無效圖形進行標記，以區分有效圖形與無效圖形；

以所述有效圖形的線寬及其對應的預設光刻參數為數據繪制泊松曲線；

根據所述泊松曲線獲得預設線寬對應的光刻參數包括：多條泊松曲線組成泊松曲線組，選擇走勢平緩的泊松曲線對應的光刻參數作為實際生產中采用的光刻參數。

2.根據權利要求1所述的準確獲取光刻參數的方法，其特征在于，所述掩膜圖形由相同類型或者不同類型的光刻圖形組成。

3.根據權利要求1所述的準確獲取光刻參數的方法，其特征在于，所述目標載體為涂覆有光刻膠層的半導體襯底，所述目標圖形形成在所述光刻膠層。

4.根據權利要求1所述的準確獲取光刻參數的方法，其特征在于，所述預設光刻參數為曝光能量與聚焦值的組合，在采用同一掩膜圖形作為掩膜，在不同的預設光刻參數下，對目標載體進行光刻，獲得多個目標圖形的步驟中，分別以所述曝光能量及所述聚焦值作為量改變所述預設光刻參數。

5.根據權利要求4所述的準確獲取光刻參數的方法，其特征在于，以所述有效圖形的線寬及其對應的預設光刻參數為數據繪制泊松曲線的步驟進一步包括：將所述曝光能量設為定值，以所述有效圖形的線寬及所述聚焦值為數據繪制泊松曲線，或以所述聚焦值為定值，以所述有效圖形的線寬及所述曝光能量為數據繪制泊松曲線。

6.根據權利要求1所述的準確獲取光刻參數的方法，其特征在于，將所述目標圖形與標準圖形進行對比的方法為，獲取所述目標圖形與所述標準圖形的掃描圖像，并將所述掃描圖像進行像素灰階比對，獲得所述目標圖形與所述標準圖形的相似度，所述相似度為所述評估值。

7.根據權利要求6所述的準確獲取光刻參數的方法，其特征在于，所述預設值的范圍為70％～85％。

8.根據權利要求1所述的準確獲取光刻參數的方法，其特征在于，在將所述目標圖形與標準圖形進行對比的步驟之前，獲取目標圖形的線寬。

9.根據權利要求1所述的準確獲取光刻參數的方法，其特征在于，在將所述目標圖形與標準圖形進行對比的步驟之后，獲取有效圖形的線寬。