[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010776850.6
• 申請日: 2020-08-05
• 公開（公告）號: CN112563242A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 劉承勇;李鐘振;金洛煥;鄭恩志;洪元赫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/532
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 陳曉博;尹淑梅

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

第一層間絕緣膜，設置在基底上并且包括第一溝槽；

第一下導電圖案，填充第一溝槽并且包括在與基底的上表面平行的第一方向上彼此間隔開的第一谷區域和第二谷區域，第一谷區域和第二谷區域朝向基底凹陷；

第二層間絕緣膜，設置在第一層間絕緣膜上并且包括暴露第一下導電圖案的至少一部分的第二溝槽；以及

上導電圖案，填充第二溝槽并且包括上阻擋膜和設置在上阻擋膜上的上填充膜，

其中，上導電圖案至少部分地填充第一谷區域。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，上導電圖案還至少部分地填充第二谷區域。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，上阻擋膜完全填充第一谷區域和第二谷區域中的至少一個。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

第一下導電圖案的頂表面包括分別限定第一谷區域和第二谷區域的第一谷部分和第二谷部分，并且

上阻擋膜沿著第一谷部分和第二谷部分的所有表面延伸。

5.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

第一下導電圖案的頂表面包括分別限定第一谷區域和第二谷區域的第一谷部分和第二谷部分，并且

上阻擋膜沿著第一谷部分和第二谷部分的表面的局部部分延伸。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，第一谷區域的深度與第二谷區域的深度相同。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

第一下導電圖案包括下阻擋膜和設置在下阻擋膜上的下填充膜，并且

第一谷區域和第二谷區域由下填充膜的上表面及下阻擋膜的上表面的未被下填充膜覆蓋的部分限定。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，

第一下導電圖案還包括設置在下阻擋膜與下填充膜之間的下襯墊，并且

第一谷區域和第二谷區域的底部部分由下襯墊限定。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，第二谷區域填充有絕緣材料。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，第二谷區域包括布線空隙。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

第二下導電圖案，設置在第一層間絕緣膜中并且在第一方向上與第一下導電圖案間隔開，

其中，第二下導電圖案包括在第一方向上彼此間隔開的第三谷區域和第四谷區域，并且

其中，第三谷區域和第四谷區域中的至少一個填充有絕緣材料。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

第二下導電圖案，設置在第一層間絕緣膜中并且在第一方向上與第一下導電圖案間隔開，

其中，第二下導電圖案包括在第一方向上彼此間隔開的第三谷區域和第四谷區域，并且

其中，第三谷區域和第四谷區域中的至少一個包括布線空隙。

13.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

下導電圖案，包括限定填充膜溝槽的下阻擋膜和在填充膜溝槽中設置在下阻擋膜上的下填充膜，下導電圖案具有在與基底的上表面平行的第一方向上具備第一寬度的頂表面；以及

上導電圖案，設置在下導電圖案上，上導電圖案連接到下導電圖案并且包括上阻擋膜和設置在上阻擋膜上的上填充膜，

其中，上導電圖案的底表面在第一方向上具有第二寬度，

其中，第二寬度大于或等于第一寬度，并且

上阻擋膜覆蓋下阻擋膜的限定填充膜溝槽的側壁的部分。