[發明專利]一種有機無機雜化鈣鈦礦納米線的制備方法

有效

• 申請號: 202010774987.8
• 申請日: 2020-08-04
• 公開（公告）號: CN111883671B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 賈曉皓;曲勝春;王智杰;劉孔;黃志濤;孫明飛
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 孫蕾

1.一種有機無機雜化鈣鈦礦納米線的制備方法，包括：

在襯底上設計制備Au薄膜和PbO₂薄膜的混合膜層；

將所述混合膜層置于有機溶液中，在第一預設溫度條件下發生反應，生成有機無機雜化鈣鈦礦納米線；

將所述有機無機雜化鈣鈦礦納米線進行沖洗，去除所述有機無機雜化鈣鈦礦納米線表面附著的溶質；

將所述有機無機雜化鈣鈦礦納米線在第二預設溫度條件下進行退火處理；

其中，所述PbO₂薄膜利用電化學沉積技術在所述Au薄膜上制備，并覆蓋預設面積的Au薄膜；

所述Au薄膜上未覆蓋所述PbO₂薄膜的部分作為工作電極接觸部分，為所述反應提供Au單質，生成連續的Au絡合物薄層。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其中，在襯底上設計制備Au薄膜和PbO₂薄膜的混合膜層包括：

先在所述襯底上沉積所述Au薄膜；以及

再在所述Au薄膜上沉積所述PbO₂薄膜，以得到所述混合膜層。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其中，再在所述Au薄膜上沉積所述PbO₂薄膜，還包括：

所述沉積所述PbO₂薄膜的前驅體溶液為預設濃度的硝酸、硝酸鈉和醋酸鉛的混合溶液，溶劑為去離子水。

4.根據權利要求3所述的制備方法，還包括：

在所述PbO₂薄膜沉積完成后，將所述PbO₂薄膜表面附著的所述前驅體溶液沖洗干凈并吹干備用。

5.根據權利要求1所述的制備方法，還包括：

所述襯底為ITO玻璃襯底，所述ITO玻璃襯底尺寸為15mm×15mm，厚度為2mm，所述ITO厚度為100nm；

其中，在所述襯底上設計制備所述Au薄膜和所述PbO₂薄膜的混合膜層之前，先對所述襯底進行清洗，之后分別用去離子水、丙酮和異丙醇超聲清洗預設時間，最后將所述襯底放入乙醇中備用。

6.根據權利要求1所述的制備方法，還包括：

所述Au薄膜利用熱蒸鍍法制備，真空度環境為2×10^-4Pa，所述Au薄膜厚度為95nm～105nm，所述Au的蒸發速率為所述Au薄膜完全覆蓋在所述襯底上。

7.根據權利要求1所述的制備方法，還包括：

采用三電極體系制備所述PbO₂薄膜，所述三電極體系包括工作電極、參比電極、對電極。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其中，所述將所述混合膜層置于有機溶液中，在第一預設溫度條件下發生反應，生成有機無機雜化鈣鈦礦納米線，包括：

將所述混合膜層置于容器中，滴入預先設置的有機溶液，在所述第一預設溫度條件下發生反應，生成所述有機無機雜化鈣鈦礦納米線。