[發明專利]一種雙盲槽容性耦合結構的陶瓷濾波器

在審

• 申請號: 202010774699.2
• 申請日: 2020-08-04
• 公開（公告）號: CN112038735A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 梁飛;蒙順良;張榕;尹宇豪;呂文中
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20;H01P1/207
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 李智

本發明公開了一種雙盲槽容性耦合結構的陶瓷濾波器，包括外表面具有導電金屬鍍層的濾波器本體、本體上表面的調諧孔、耦合槽和上下盲槽組成的容性耦合結構；調諧孔為盲孔，耦合槽為矩形通槽，容性耦合結構由上下兩個相同長寬高的盲槽組成，位于兩個調諧孔之間。本發明在兩個調諧孔之間開設上下雙盲槽容性耦合結構，通過調整盲槽的長度和高度可以改變耦合量的大小，從而實現陶瓷濾波器的容性耦合；單個盲槽的高度小于濾波器高度的一半，不存在盲槽高度限制且盲槽長度靈活可調，有效降低了陶瓷濾波器容性耦合的調試難度并提高容性耦合的調試精度，具有結構簡單、設計方便、容易生產制備等特點。

技術領域

本發明屬于通信技術領域，更具體地，涉及一種雙盲槽容性耦合結構的陶瓷濾波器。

背景技術

隨著第五代移動通信技術的發展，通信所用的頻率逐漸升高，需要濾波器的數量增加，對濾波器的尺寸和性能提出了更高的要求。陶瓷濾波器以其低插損、小體積等優異性能在基站射頻領域具有廣泛的應用前景。為提高帶外抑制，陶瓷濾波器通常需要引入容性耦合結構形成交叉耦合，在工作頻帶近端產生傳輸零點。

現有技術中通常在陶瓷濾波器的諧振腔連接位置處形成深盲孔的方式實現諧振腔之間的容性耦合，并通過調整盲孔的深度來控制耦合量大小。盲孔的孔徑通常很小，并且盲孔深度需要大于濾波器高度的一半，而受限于盲孔孔徑和孔深，在對盲孔深度進行調試以調節耦合量的過程中，難以精確控制孔深的調試量，導致對陶瓷濾波器的容性耦合的調節精度較差，難以滿足實際使用需求。

發明內容

針對現有技術的缺陷，本發明的目的在于提供一種雙盲槽容性耦合結構的陶瓷濾波器，旨在解決現有陶瓷濾波器的容性耦合調試困難，調節精度較差，不易于生產制備問題。

為實現上述目的，本發明提供了一種雙盲槽容性耦合結構的陶瓷濾波器，包括外表面具有導電金屬鍍層的陶瓷濾波器本體，其本體由介電材料制成，本體具有調諧孔、耦合槽和容性耦合結構，所述耦合槽位于調諧孔之間，所述容性耦合結構由上、下兩個相同長寬高的盲槽組成，用于實現容性耦合，位于調諧孔之間，分別位于本體的上、下表面；下表面具有輸入輸出端口。

進一步地，陶瓷濾波器本體上表面至少具有兩個調諧孔，調諧孔均為盲孔。

進一步地，導電金屬鍍層為金屬銀層或金屬銅層。

進一步地，耦合槽為矩形通槽。

進一步地，盲槽的長度和高度可調，用以調整耦合量大小。

進一步地，上、下盲槽可同時位于調諧孔左側或右側。

進一步地，陶瓷濾波器為一體成型結構。

通過本發明所構思的以上技術方案，與現有技術相比，本發明提供的陶瓷濾波器在調諧孔之間開設容性耦合盲槽，通過調整盲槽的長度和高度可以改變耦合量的大小，從而實現陶瓷濾波器的容性耦合，單個盲槽的高度小于濾波器高度的一半，不存在盲槽高度限制且盲槽長度靈活可調，有效降低了陶瓷濾波器容性耦合的調試難度并提高容性耦合的調試精度，具有結構簡單、設計方便、易于加工制備等特點。

附圖說明

圖1是本發明實施例1提供的一種具有雙盲槽容性耦合結構的陶瓷濾波器的三維結構示意圖。

圖2是本發明實施例1提供的一種具有雙盲槽容性耦合結構的陶瓷濾波器的上表面結構示意圖。

圖3是本發明實施例1提供的一種具有雙盲槽容性耦合結構的陶瓷濾波器的下表面結構示意圖。

圖4是本發明實施例1提供的一種具有雙盲槽容性耦合結構的陶瓷濾波器的A-A剖面圖。

圖5是本發明實施例1提供的一種具有雙盲槽容性耦合結構的陶瓷濾波器的頻率響應曲線圖。