[發(fā)明專利]納米電極對(duì)及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010774183.8 | 申請(qǐng)日： | 2020-08-04 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111893527A | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李莉;孫志梅;潘向萍;潘軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 淮南師范學(xué)院 |
| 主分類號(hào)： | C25D3/48 | 分類號(hào)： | C25D3/48;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 廣東有知貓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44681 | 代理人： | 朱親林 |
| 地址： | 23200*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米 電極 及其 制備 方法 | ||
1.納米電極對(duì)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)在襯底上熱氧化處理制備二氧化硅層，旋涂一層抗蝕劑，得到基材；
2)在上述基材上通過微納米加工方法制備一對(duì)雙層金屬電極對(duì)，其中，上層金屬電極材料應(yīng)采用金屬活動(dòng)順序表中位于下層金屬電極材料之前的金屬；
3)在上述雙層金屬電極對(duì)上覆蓋電解液，通過金屬沉積的方法，由雙層金屬電極對(duì)的上層金屬與電解液之間的化學(xué)反應(yīng)，并在下層金屬電極材料的表面析出相同的金屬，使雙層金屬電極對(duì)之間的間距減小，從而獲得納米間隙尺度的電極對(duì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米電極對(duì)及其制備方法，其特征在于：步驟1中所述二氧化硅層的厚度為300-500納米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米電極對(duì)及其制備方法，其特征在于：步驟1中所述抗蝕劑的旋涂厚度為50-100納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米電極對(duì)及其制備方法，其特征在于：步驟2中雙層金屬電極對(duì)之間的間隙尺寸為0.3-3微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米電極對(duì)及其制備方法，其特征在于：所述雙層金屬電極的下層金屬為金、鉑、鈀、銀、銅中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米電極對(duì)及其制備方法，其特征在于：所述雙層金屬電極對(duì)的上層金屬為銅、鐵、鋅、鋁中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米電極對(duì)及其制備方法，其特征在于：所述雙層金屬電極對(duì)的下層金屬厚度為100-150納米，上層金屬的厚度為10-50納米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米電極對(duì)及其制備方法，其特征在于：所述電解液與雙層金屬電極對(duì)的下層金屬對(duì)應(yīng)。
9.納米電極對(duì)，采用權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的制備方法制備而成。
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