[發(fā)明專(zhuān)利]一種提高紅外及太赫茲芯片性能的方法及紅外及太赫茲芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010773772.4
• 申請(qǐng)日: 2020-08-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111900231B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賴(lài)偉恩;方紅云;袁浩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 合肥工業(yè)大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18;B22F9/24;B22F1/054;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 夏苗苗

1.一種提高紅外及太赫茲芯片性能的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供一核殼銀納米粒子，且所述核殼銀納米粒子中核殼的尺寸比為1：(0.1～1)；

在所述紅外及太赫茲芯片上布設(shè)所述核殼銀納米粒子；

其中，所述核殼銀納米粒子在沸點(diǎn)為100～170℃的反應(yīng)介質(zhì)中，在保護(hù)劑的存在下，于100～170℃的溫度對(duì)核結(jié)構(gòu)的前驅(qū)體進(jìn)行至少一次還原處理得到核結(jié)構(gòu)的納米種子顆粒；并在25～100℃的反應(yīng)溫度下，加入殼結(jié)構(gòu)的前驅(qū)體并進(jìn)行至少一次的還原處理得到；

所述核結(jié)構(gòu)的納米種子顆粒的制備方法包括：稱(chēng)取所述核結(jié)構(gòu)的前驅(qū)體，加入所述反應(yīng)介質(zhì)、還原劑及所述保護(hù)劑，并加熱至100～170℃后，控制反應(yīng)時(shí)間，溶液顏色經(jīng)過(guò)一系列變化不變后，結(jié)束反應(yīng)，其中，所述反應(yīng)介質(zhì)、所述保護(hù)劑、所述還原劑以及所述前驅(qū)體的比例為(1.5～3):(1～5):(1～5):(0.1～1)；

將包含所述核殼銀納米粒子的溶液滴加于所述紅外及太赫茲芯片上，并通過(guò)旋涂工藝進(jìn)行分散。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高紅外及太赫茲芯片性能的方法，其特征在于，所述紅外及太赫茲芯片性能選自調(diào)制深度、調(diào)制帶寬，及響應(yīng)速度中的至少一項(xiàng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高紅外及太赫茲芯片性能的方法，其特征在于，所述紅外及太赫茲芯片作用的太赫茲波段為0.1-2.5THz。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高紅外及太赫茲芯片性能的方法，其特征在于，所述核殼銀納米粒子為單分散的核殼銀納米粒子，粒徑為20～100nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高紅外及太赫茲芯片性能的方法，其特征在于，所述核殼銀納米粒子選自金銀核殼結(jié)構(gòu)、銀金核殼結(jié)構(gòu)、銀二氧化硅核殼結(jié)構(gòu)中的任意一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高紅外及太赫茲芯片性能的方法，其特征在于，所述保護(hù)劑選自聚乙烯吡咯烷酮、檸檬酸三鈉、單寧酸中的任意一種或上述任意組合。

7.一種紅外及太赫茲芯片，其特征在于，采用權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的提高紅外及太赫茲芯片性能的方法得到的紅外及太赫茲芯片。