[發明專利]一種使用雙聯工藝將TA10殘料制備成鑄錠的方法

有效

• 申請號: 202010773105.6
• 申請日: 2020-08-04
• 公開（公告）號: CN111842855B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 贠鵬飛;廖強;母果路;弋可;張哲;李維;張智;劉華;李輝
• 申請（專利權）人: 西部鈦業有限責任公司
• 主分類號: B22D23/10
• 分類號: B22D23/10
• 代理公司: 西安創知專利事務所 61213
• 代理人: 魏法祥

1.一種使用雙聯工藝將TA10殘料制備成鑄錠的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

步驟一、將TA10殘料在電子束冷床爐內進行布料，然后進行電子束冷床熔煉，得到電子束冷床熔煉鑄錠；所述電子束冷床熔煉的條件為：電子束冷床爐內的真空度小于9×10^-3Torr，熔速為400kg/h～600kg/h，熔煉時間為8.5h～11.5h，補縮時間為1h～2h，熔煉結束后冷卻4h～6h；

步驟二、將步驟一中得到的電子束冷床熔煉鑄錠進行兩次真空自耗電極電弧熔煉，得到TA10鑄錠，所述TA10鑄錠為橫截面直徑720mm～920mm的圓柱鑄錠；兩次所述真空自耗電極電弧熔煉的過程為：將電子束冷床熔煉鑄錠在真空自耗電弧爐內焊接成自耗電極，然后將自耗電極進行第一次真空自耗電極電弧熔煉，得到第一次熔煉鑄錠，將第一次熔煉鑄錠進行第二次真空自耗電極電弧熔煉，熔煉結束后冷卻6h～8h，得到TA10鑄錠，所述第一次真空自耗電極電弧熔煉中熔煉電流為19kA～27kA，所述第一次熔煉鑄錠為橫截面直徑640mm～820mm的圓柱形，所述第二次真空自耗電極電弧熔煉中熔速為18kg/min～25kg/min，補縮時間為2h～3h。

2.根據權利要求1所述的一種使用雙聯工藝將TA10殘料制備成鑄錠的方法，其特征在于，將步驟一中所述TA10殘料按形態分為冒口殘料、棒頭殘料、管頭殘料和板條殘料，然后將冒口殘料、棒頭殘料、管頭殘料和板條殘料中的每種殘料均按氧的質量含量分為高氧殘料和低氧殘料，所述高氧殘料為氧的質量分數為0.08％～0.2％的TA10加工得到的殘料，所述低氧殘料為氧的質量分數小于0.08％的TA10加工得到的殘料。

3.根據權利要求2所述的一種使用雙聯工藝將TA10殘料制備成鑄錠的方法，其特征在于，步驟一中所述布料的方式為：在電子束冷床爐的下部布設板條殘料形成下部料，在電子束冷床爐的上部布設管頭殘料、棒頭殘料和冒口殘料中的兩種殘料形成上部料，所述上部料按照高氧和低氧的順序按層依次交替分布；所述電子束冷床爐內布設的上部料和下部料之和中高氧殘料與低氧殘料的質量比為2:1。

4.根據權利要求1所述的一種使用雙聯工藝將TA10殘料制備成鑄錠的方法，其特征在于，步驟一中所述電子束冷床熔煉鑄錠為1350mm長×250mm寬的扁錠、1050mm長×250mm寬的扁錠或橫截面直徑為620mm的圓柱錠。

5.根據權利要求4所述的一種使用雙聯工藝將TA10殘料制備成鑄錠的方法，其特征在于，所述電子束冷床熔煉鑄錠為1350mm長×250mm寬的扁錠或1050mm長×250mm寬的扁錠，將扁錠沿著其長度方向切成兩等分后在真空自耗電弧爐內焊接成自耗電極。

6.根據權利要求1所述的一種使用雙聯工藝將TA10殘料制備成鑄錠的方法，其特征在于，步驟二中兩次所述真空自耗電極電弧熔煉中真空自耗電弧爐內的真空度均小于5Pa，漏氣率均小于0.6Pa/min。