[發(fā)明專利]一種銅粗化無引腳封裝引線框架的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010773005.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111883432A | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天水華洋電子科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;C22F1/08;C23G1/10;C25D3/38 |
| 代理公司: | 北京金宏來專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 許振強(qiáng) |
| 地址: | 741020 甘肅省*** | 國(guó)省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 銅粗化無 引腳 封裝 引線 框架 制備 方法 | ||
1.一種銅粗化無引腳封裝引線框架的制備方法,其特征在于包括如下步驟:
1)第一酸洗:利用酸性溶液沖洗去除了雜物的薄板材料,然后利用粗糙藥水進(jìn)行微蝕2~3次,每次的浸泡時(shí)間是30~40s;
2)預(yù)鍍銅粗化:利用硫酸銅40~50g/L、二乙烯三胺五甲叉膦酸4~6g/L、檸檬酸鉀8~10g/L、銀離子來源物40~50g/L和電鍍添加劑100~600mg/L組成的電鍍液進(jìn)行預(yù)鍍處理,然后在N2的保護(hù)氣氛下于高頻爐中進(jìn)行融化,緊接著在銅粉合金中添加重量百分比為4.5%~6.5%的氧化鋁粉充分混合后球磨,最后在銅合金表面電鍍一層粗化的銅層;
3)第二酸洗:使用有機(jī)酸粗化液對(duì)步驟2)處理的引線框架進(jìn)行噴淋處理,然后進(jìn)行活化超純逆流水洗,緊接著將引線框架導(dǎo)入超聲波脫脂劑中進(jìn)行超聲波除油,超聲波脫脂劑的溫度為40~45℃,超聲波脫脂劑濃度為62~65g/L,超聲波除油時(shí)間為30~40S;
4)冷軋加工:將上述步驟處理的銅粉合金經(jīng)銑面去除氧化皮后進(jìn)行70~75%壓下率的冷軋加工;
5)退火處理:將冷軋加工得到的銅合金在520~560℃的條件下退火處理20~30min后,再次進(jìn)行40~45%壓下率的冷軋加工,隨后在530~535℃再次退火處理8~10min后,再進(jìn)行30~35%壓下率的冷軋加工到所需厚度,保溫30~40min后水淬,冷軋時(shí)效處理后得成品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銅粗化無引腳封裝引線框架的制備方法,其特征在于所述步驟1)中的酸性溶液為硫酸、硝酸或磺酸中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銅粗化無引腳封裝引線框架的制備方法,其特征在于所述有機(jī)酸粗化液的噴淋壓力為0.3~0.5MPa,有機(jī)酸粗化液的處理溫度為42~45℃,噴淋粗化的時(shí)間為2~4min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銅粗化無引腳封裝引線框架的制備方法,其特征在于所述步驟5)中的時(shí)效處理溫度為530~540℃,升溫時(shí)間為5~6h。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





