[發(fā)明專利]一種提高鈣鈦礦太陽電池全光譜穩(wěn)定性的界面工程方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010772076.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112071985B | 公開(公告)日: | 2022-07-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 余學(xué)功;杭鵬杰;謝江生;楊德仁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L51/42 | 分類號(hào): | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 邱啟旺 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提高 鈣鈦礦 太陽電池 光譜 穩(wěn)定性 界面 工程 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種通過界面工程提高鈣鈦礦太陽能電池全光譜光穩(wěn)定性的方法,所涉及的器件結(jié)構(gòu)從下至上分別為透明導(dǎo)電玻璃、電子傳輸層、界面層、鈣鈦礦活性層、空穴傳輸層和金屬電極層,通過在電子傳輸層和鈣鈦礦活性層之間引入界面層,界面層由富勒烯或富勒烯衍生物與鄰菲羅啉衍生物混合組成,鄰菲羅啉衍生物與富勒烯或富勒烯衍生物的質(zhì)量比為1:5~15。界面層阻止電子傳輸層在光照下催化分解鈣鈦礦活性層的同時(shí),增強(qiáng)了界面層本身的穩(wěn)定性,從而大幅度提高了鈣鈦礦太陽能電池的全光譜光穩(wěn)定性,并且由于其鈍化鈣鈦礦表面缺陷的作用,電池的能量轉(zhuǎn)換效率也得以提升,遲滯現(xiàn)象得以減緩。本發(fā)明方法極大地促進(jìn)了鈣鈦礦太陽能電池邁向商業(yè)化。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明所屬鈣鈦礦光伏領(lǐng)域,具體涉及一種提高鈣鈦礦太陽電池全光譜穩(wěn)定性的界面工程方法。
背景技術(shù)
有機(jī)-無機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦以其吸光性強(qiáng)、載流子遷移率高、本征載流子壽命長(zhǎng)、低溫可加工性等優(yōu)良特性,作為溶液處理和低成本光伏材料而受到廣泛關(guān)注。但是,鈣鈦礦太陽能電池的穩(wěn)定性還遠(yuǎn)未達(dá)到工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
目前,在高效率的鈣鈦礦太陽能電池的器件結(jié)構(gòu)中,往往采用金屬氧化物如TiO2和SnO2作為電子傳輸層,然而由于其在光照(紫外部分尤為顯著)下的光催化作用,使鈣鈦礦極易被分解,且該降解就發(fā)生在電子傳輸層和鈣鈦礦之間的界面,大大影響了其光照穩(wěn)定性。為了減弱該破壞作用,本發(fā)明介紹了一種高鈣鈦礦太陽電池全光譜穩(wěn)定性的界面工程方法,通過在電子傳輸層和鈣鈦礦活性層之間制備一層有機(jī)界面層,在很大程度上緩解了界面復(fù)合,減少了滯后現(xiàn)象,更重要的是,電池的全光譜光穩(wěn)定性顯著提升。本發(fā)明為提高鈣鈦礦太陽能電池的全光譜光穩(wěn)定性提供了一種基本途徑,對(duì)促進(jìn)低成本、光穩(wěn)定性良好的鈣鈦礦太陽能電池的商業(yè)化具有重要意義。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于公開一種提高鈣鈦礦太陽能電池全光譜光穩(wěn)定性的方法,在很大程度上緩解了界面復(fù)合,減少了滯后現(xiàn)象,電池的全光譜光穩(wěn)定性顯著提升。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
一種提高鈣鈦礦太陽能電池全光譜光穩(wěn)定性的方法,所述鈣鈦礦太陽能電池的器件結(jié)構(gòu)從下至上分別為:透明導(dǎo)電玻璃、電子傳輸層、鈣鈦礦活性層、空穴傳輸層和金屬電極層。在電子傳輸層和鈣鈦礦活性層之間插入一層8~15nm界面層,所述界面層由富勒烯或富勒烯衍生物與鄰菲羅啉衍生物混合組成,鄰菲羅啉衍生物與富勒烯或富勒烯衍生物的質(zhì)量比為1:5~15。
進(jìn)一步地,所述的透明導(dǎo)電玻璃為ITO或FTO透明導(dǎo)電玻璃,
進(jìn)一步地,ITO或FTO透明導(dǎo)電玻璃的方塊電阻為8~15Ω,透光率為85~90%,玻璃的厚度為1~2mm,ITO或FTO的厚度為150~300nm。
進(jìn)一步地,所述的電子傳輸層為氧化錫或氧化鈦納米晶薄膜,厚度為30~50nm。
進(jìn)一步地,所述富勒烯或富勒烯衍生物為C60、PCBM等。所述鄰菲羅啉衍生物為BCP、Bphen等。
進(jìn)一步地,所述的鈣鈦礦活性層為MAPbI3或(FAPbI3)0.95(MAPbBr3)0.05,其厚度為500~1000nm。
進(jìn)一步地,所述的空穴傳輸層材料為spiro-OMeTAD,厚度為100~200nm。
進(jìn)一步地,所述的金屬電極層材料為金或銀,其厚度為80~140nm。
本發(fā)明還提供了一種根據(jù)上述的一種提高鈣鈦礦太陽能電池全光譜光穩(wěn)定性的方法制備的全光譜光穩(wěn)定鈣鈦礦太陽能電池。
進(jìn)一步地,鈣鈦礦太陽能電池的制備包括以下步驟:
步驟一:清洗透明導(dǎo)電玻璃。
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H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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