[發(fā)明專利]底部抗反射涂料

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010771846.0
• 申請日: 2020-08-04
• 公開（公告）號: CN112327577A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳建志;張慶裕
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/09
• 分類號: G03F7/09;G03F7/16;G03F7/004;G03F7/038;G03F7/039
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 陳蒙

1.一種半導(dǎo)體器件制造的方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上方沉積底層，所述底層包括：

聚合物主鏈；

極性可切換基團(tuán)，包括：鍵合至所述聚合物主鏈第一端基、包括氟的第二端基、以及鍵合在所述第一端基和所述第二端基之間的酸不穩(wěn)定基團(tuán)；

可交聯(lián)基團(tuán)，鍵合至所述聚合物主鏈；以及

光酸產(chǎn)生劑；

在所述底層上方沉積光致抗蝕劑層；

根據(jù)圖案將所述光致抗蝕劑層的一部分和所述底層的一部分曝光于輻射源，從而分解所述底層的曝光部分中的所述光酸產(chǎn)生劑以產(chǎn)生酸性部分；

烘烤所述光致抗蝕劑層和所述底層，使得所述酸性部分與所述酸不穩(wěn)定基團(tuán)反應(yīng)，以將所述第二端基與所述聚合物主鏈分離；以及

對所述光致抗蝕劑層的曝光部分進(jìn)行顯影以將所述圖案轉(zhuǎn)移到所述光致抗蝕劑層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沉積所述光致抗蝕劑層包括將所述光致抗蝕劑層直接沉積在所述底層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：

在沉積所述光致抗蝕劑層之前，烘烤所沉積的底層，以激活所述可交聯(lián)基團(tuán)來鍵合至另一聚合物主鏈。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：

在沉積所述光致抗蝕劑層之前，將所沉積的底層曝光于紫外UV源，以激活所述可交聯(lián)基團(tuán)來鍵合至另一聚合物主鏈。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述輻射源包括ArF準(zhǔn)分子激光器、KrF準(zhǔn)分子激光器、或極紫外EUV輻射源。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述光致抗蝕劑層是有機(jī)金屬光致抗蝕劑，包括從由下列項(xiàng)組成的組中選擇的金屬：錫、鈀、鋯、鈷、鎳、鉻、鐵、銠和釕。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，所述底層還包括鍵合至所述聚合物主鏈的光致抗蝕劑親和性基團(tuán)，

其中，所述光致抗蝕劑親和性基團(tuán)包括1個(gè)和30個(gè)之間的碳原子，

其中，所述光致抗蝕劑層與所述光致抗蝕劑親和性基團(tuán)之間的親和性大于所述光致抗蝕劑層與所述極性可切換基團(tuán)的所述第二端基之間的親和性。

8.一種半導(dǎo)體器件制造的方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上方沉積底層，其中，所述底層包括：

聚合物主鏈；

含氟基團(tuán)，鍵合至所述聚合物主鏈；

極性基團(tuán)，鍵合至所述聚合物主鏈；

熱可交聯(lián)基團(tuán)，鍵合至所述聚合物主鏈；

交聯(lián)劑；以及

熱酸產(chǎn)生劑，包括被配置為催化所述極性基團(tuán)和所述交聯(lián)劑之間的鍵合的酸性部分；

在所述底層上方沉積光致抗蝕劑層；

根據(jù)圖案將所述光致抗蝕劑層的一部分曝光于輻射源；

烘烤所述光致抗蝕劑層；以及

對所述光致抗蝕劑層的曝光部分進(jìn)行顯影以將所述圖案轉(zhuǎn)移到所述光致抗蝕劑層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，沉積所述光致抗蝕劑層包括將所述光致抗蝕劑層直接沉積在所述底層上。

10.一種半導(dǎo)體器件制造的方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上方沉積底層，其中，所述底層包括：

聚合物主鏈；

酸不穩(wěn)定基團(tuán)，鍵合至所述聚合物主鏈；

紫外UV可固化基團(tuán)，鍵合至所述酸不穩(wěn)定基團(tuán)；

熱酸產(chǎn)生劑，被配置為在第一溫度下釋放酸性部分；以及

光堿產(chǎn)生劑，被配置為在曝光于輻射源時(shí)釋放堿性部分；

在所述底層上方沉積光致抗蝕劑層；

在低于第一溫度的第二溫度下烘烤所述光致抗蝕劑層；

根據(jù)圖案將所述光致抗蝕劑層的一部分和所述底層的一部分曝光于輻射源，從而從所述光堿產(chǎn)生劑釋放所述堿性部分；

在所述第一溫度下烘烤所述底層，從而釋放所述酸性部分以中和所述堿性部分；以及

對所述光致抗蝕劑層的曝光部分和所述底層的曝光部分進(jìn)行顯影，以將所述圖案轉(zhuǎn)移到所述光致抗蝕劑層和所述底層。