[發明專利]發光二極管芯片及其制作方法

有效

• 申請號: 202010771139.1
• 申請日: 2020-08-04
• 公開（公告）號: CN112133804B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 蘭葉;吳志浩;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種發光二極管芯片，其特征在于，所述發光二極管芯片包括透明基板(10)、外延層(20)和金屬電極(30)；所述外延層(20)覆蓋在所述透明基板(10)的第一表面上；所述外延層(20)的第二表面包括凸起部(21)、凹陷部(22)和連接部(23)，所述第二表面和所述外延層(20)的第三表面相反，所述第三表面與所述第一表面接觸；所述凸起部(21)和所述凹陷部(22)為相互平行的平面，所述凸起部(21)與所述第一表面之間的距離大于所述凹陷部(22)與所述第一表面之間的距離；所述凸起部(21)和所述凹陷部(22)通過所述連接部(23)連接在一起；所述金屬電極(30)至少覆蓋在所述凸起部(21)和所述連接部(23)上，所述金屬電極(30)中的金屬原子擴散到所述外延層(20)中形成歐姆接觸；

所述連接部(23)的數量為至少兩個，至少兩個所述連接部(23)沿從所述凸起部(21)到所述凹陷部(22)的方向依次設置，至少兩個所述連接部(23)上點的切平面與所述凸起部(21)之間的夾角沿從所述凸起部(21)到所述凹陷部(22)的方向逐個減小。

2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述連接部(23)上點的切平面與所述凸起部(21)之間的夾角為165°～175°。

3.根據權利要求1或2所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述凸起部(21)為多邊形。

4.根據權利要求1或2所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述金屬電極(30)還覆蓋在所述凹陷部(22)與所述連接部(23)連接的區域上。

5.根據權利要求1或2所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述外延層(20)包括依次層疊在所述第一表面上的第一型半導體層(24)、有源層(25)和第二型半導體層(26)，所述外延層(20)內具有從所述第二型半導體層(26)延伸至所述第一型半導體層(24)的凹槽(41)，所述外延層(20)外具有從所述第二型半導體層(26)延伸至所述透明基板(10)的隔離槽(42)；所述凹槽(41)將所述第二型半導體層(26)和所述有源層(25)劃分為相互隔離的第一部分(27)和第二部分(28)，所述第一部分(27)位于所述凹槽(41)內，所述第二部分(28)位于所述凹槽(41)外；所述金屬電極(30)包括第一型電極(31)和第二型電極(32)，所述第一型電極(31)設置在所述第一型半導體層(24)上，所述第二型電極(32)設置在所述第一部分(27)的第二型半導體層(26)上。

6.根據權利要求5所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第二部分(28)在所述第一表面上的投影包括環形區域(281)和兩個突出區域(282)，所述兩個突出區域(282)分別連接在所述環形區域(281)的內環上，所述兩個突出區域(282)位于所述第一型電極(31)相反兩側，所述兩個突出區域(282)的中心連線垂直于所述第一型電極(31)和所述第二型電極(32)的中心連線。

7.一種發光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供第一表面覆蓋有外延層的透明基板；

在所述外延層的第二表面上形成凸起部、凹陷部和連接部；其中，所述第二表面和所述外延層的第三表面相反，所述第三表面與所述第一表面接觸；所述凸起部和所述凹陷部為相互平行的平面，所述凸起部與所述第一表面之間的距離大于所述凹陷部與所述第一表面之間的距離；所述凸起部和所述凹陷部通過所述連接部連接在一起；所述連接部的數量為至少兩個，至少兩個所述連接部沿從所述凸起部到所述凹陷部的方向依次設置，至少兩個所述連接部上點的切平面與所述凸起部之間的夾角沿從所述凸起部到所述凹陷部的方向逐個減??；

至少在所述凸起部和所述連接部上形成金屬電極，所述金屬電極中的金屬原子擴散到所述外延層中形成歐姆接觸。