[發明專利]一種芯片的靜電感應破壞測試方法

有效

• 申請號: 202010769906.5
• 申請日: 2020-08-04
• 公開（公告）號: CN112130008B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發明（設計）人: 楊利華
• 申請（專利權）人: 北京中電華大電子設計有限責任公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00;G01R31/28
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種芯片的靜電感應破壞測試方法，其特征在于：

測試時被測芯片放在不銹鋼工作臺上，被測芯片襯底面向靜電電子槍槍頭，靜電電子槍的槍頭對準芯片襯底進行放電測試，放電時，在系統級靜電槍的槍頭和不銹鋼工作臺之間產生急劇變化的電場，電場穿過芯片器件層。

2.如權利要求項1的一種芯片的靜電感應破壞測試方法，其特征還在于：當被測芯片襯底的最外面覆蓋金屬片時，靜電電子槍的槍頭直接接觸金屬片，進行放電測試；當被測芯片襯底最外面覆蓋絕緣層時，靜電電子槍的槍頭直接接觸絕緣層，進行放電測試；當被測芯片襯底外面的絕緣層被去除，露出貼片膠時，靜電電子槍的槍頭直接接觸貼片膠，進行放電測試；當被測芯片背面完全露出襯底時，靜電電子槍的槍頭直接接觸芯片襯底，進行放電測試。