[發明專利]半導體結構的形成方法

在審

• 申請號: 202010768546.7
• 申請日: 2020-08-03
• 公開（公告）號: CN114068409A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 涂武濤;陳建;邱晶;李錦錦
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種形成半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成介質層，所述介質層內具有第一開口和第二開口；

分別在所述第一開口和所述第二開口內形成初始柵介質層；

分別在所述第一開口和所述第二開口內的初始柵介質層表面形成第一初始功函數層；

去除位于所述第一開口內的所述第一初始功函數層和部分所述初始柵介質層，形成第一柵介質層，所述第一柵介質層的頂部表面低于所述介質層的頂部表面；

分別在所述第一開口和所述第二開口內形成第二初始功函數層，在所述第一開口內，所述第二初始功函數層位于所述第一柵介質層表面，在所述第二開口內，所述第二初始功函數層位于所述第一初始功函數層表面；

去除位于所述第二開口內的所述第一初始功函數層、第二初始功函數層以及部分所述初始柵介質層，形成第二柵介質層，所述第二柵介質的頂部表面低于所述介質層的頂部表面。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一柵介質層的材料包括高K介質材料。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二柵介質層的材料包括高K介質材料。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述介質層內還具有第三開口和第四開口。

5.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述第一開口和所述第二開口內形成初始柵介質層的過程中，還包括：分別在所述第三開口和所述第四開口內形成所述初始柵介質層。

6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述第一開口和所述第二開口內形成第一初始功函數層的過程中，還包括：分別在所述第三開口和所述第四開口內的初始柵介質層表面形成所述第一初始功函數層。

7.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除位于所述第一開口內的所述第一初始功函數層和部分所述初始柵介質層的方法包括：在所述第一開口內形成第一初始犧牲層；去除位于所述第一開口內的部分所述第一初始犧牲層，形成第一犧牲層，所述第一犧牲層的頂部表面低于所述介質層的頂部表面；以所述第一犧牲層為掩膜刻蝕所述第一初始功函數層和所述初始柵介質層，形成第一柵介質層與第一功函數層；在形成所述第一柵介質層之后，去除所述第一犧牲層和所述第一功函數層。

8.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層的材料包括抗反射材料。

9.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述第一開口和所述第二開口內形成第二初始功函數層的過程中，還包括：分別在所述第三開口和所述第四開口內的初始第一功函數層表面形成所述第二初始功函數層。

10.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除位于所述第二開口內的所述第一初始功函數層、第二初始功函數層以及部分所述初始柵介質層的方法包括：在所述第二開口內形成第二初始犧牲層；去除位于所述第二開口內的部分所述第二初始犧牲層，形成第二犧牲層，所述第二犧牲層的頂部表面低于所述介質層的頂部表面；以所述第二犧牲層為掩膜刻蝕所述第二初始功函數層、第一初始功函數層和初始柵介質層，形成第二柵介質層、第二功函數層和第一功函數層；在形成所述第二柵介質層之后，去除所述第二犧牲層、第二功函數層和第一功函數層。

11.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二犧牲層的材料包括抗反射材料。