[發明專利]一種低壓低漏流高效保護芯片制造工藝

在審

• 申請號: 202010767349.3
• 申請日: 2020-08-03
• 公開（公告）號: CN111863603A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 崔文榮
• 申請（專利權）人: 江蘇晟馳微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/225
• 分類號: H01L21/225;H01L29/06
• 代理公司: 北京天盾知識產權代理有限公司 11421
• 代理人: 史煒煒

本發明公開了一種低壓低漏流高效保護芯片制造工藝，涉及芯片技術領域，具體為一種低壓低漏流高效保護芯片制造工藝，包括以下步驟：S1、擴散前處理；S2、氧化；S3、光刻；S4、雙面開管磷沉積；S5、開管擴磷；S6、蝕刻溝槽；S7、電泳鈍化；S8、完成芯片制造。該低壓低漏流高效保護芯片制造工藝通過芯片表面高濃度N+層有助于提升抗浪涌能力，溝道擴散有助于降低漏電，電泳的致密性薄層提升可靠性；芯片采取臺面工藝，增加N型區耗盡層結構，改變了N型擴散區的濃度結構曲線，利用N型擴散區耗盡層寬度的附加耐壓，增加了P+區寬度；增寬了高導電率區域，增強了P+區對P基區發射電子的能力。

技術領域

本發明涉及芯片技術領域，具體為一種低壓低漏流高效保護芯片制造工藝。

背景技術

芯片，又稱微電路、微芯片或集成電路。芯片是指內含集成電路的硅片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備的一部分。晶體管發明并大量生產之后，各式固態半導體組件如二極管、晶體管等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀中后期半導體制造技術進步，使得集成電路成為可能。相對于手工組裝電路使用個別的分立電子組件，集成電路可以把很大數量的微晶體管集成到一個小芯片，是一個巨大的進步。集成電路的規模生產能力，可靠性，電路設計的模塊化方法確保了快速采用標準化IC代替了設計使用離散晶體管。

現有的芯片在使用過程中，低壓電路容易受到外部干擾，影響低壓電路運行的穩定性，以及低壓電路產生漏電現象，影響芯片的抗干擾的性能的缺點。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供了一種低壓低漏流高效保護芯片制造工藝，解決了上述背景技術中提出現有的芯片在使用過程中，低壓電路容易受到外部干擾，影響低壓電路運行的穩定性，以及低壓電路產生漏電現象，影響芯片的抗干擾的性能的問題。

為實現以上目的，本發明通過以下技術方案予以實現：一種低壓低漏流高效保護芯片制造工藝，所述包括以下步驟：

S1、擴散前處理；

S2、氧化；

S3、光刻；

S4、雙面開管磷沉積；

S5、開管擴磷；

S6、蝕刻溝槽；

S7、電泳鈍化；

S8、完成芯片制造。

可選的，所述步驟S1、擴散前處理中，采用P型單晶硅片，通過酸、晟馳2#清洗等工序，對硅片表面進行化學處理。

可選的，所述步驟S2、氧化中，把經過擴散前處理的硅片在1100～1200℃的氧化爐中長一層氧化層。

可選的，所述步驟S3、光刻中，把氧化后的硅片進行涂膠、曝光、顯影、去氧化層等工序，雙向在雙面刻出一次擴散圖形。

可選的，所述步驟S4、雙面開管磷沉積中，采用的雙面開管磷源沉積工藝，在合適的溫度時，沉積250分鐘左右，可得到合適的高濃度沉積層，借助后道擴磷流程，將N+深度推到本產品所需的合適深度，形成寬N+層區。

可選的，所述步驟S5、開管擴磷中，將硅片表面用100％HF腐蝕干凈，再次擴磷使其形成高濃度的N+層，以及使用高溫推結將基區結深推到合適的深度，使其能達到目標耐壓。

可選的，所述步驟S6、蝕刻溝槽中，擴散后的硅片采用臺面工藝蝕刻溝槽，露出P/N結。

可選的，所述步驟S7、電泳鈍化中，采取電泳鈍化保護，燒結溫度650～900℃。

可選的，所述步驟S8、完成芯片制造中，后續通過光刻孔與蒸發金屬及劃片的方式完成芯片制造。