[發明專利]疏水疏油涂層及其制備方法和產品

有效

• 申請號: 202010766907.4
• 申請日: 2020-08-03
• 公開（公告）號: CN114059345B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 宗堅;李思越
• 申請（專利權）人: 江蘇菲沃泰納米科技股份有限公司
• 主分類號: D06M10/02
• 分類號: D06M10/02;D06M15/643;D06M15/53;D06M101/06;D06M101/32;D06M101/34
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.疏水疏油涂層，其特征在于，包括：至少兩層結構，其中一層是由一種或者多種全氟聚醚或全氟聚醚衍生物為原料進行等離子體化學氣相沉積形成，另一層是由含硅烷或者硅氧烷的原料進行等離子體化學氣相沉積形成；

其中，通入氣態的或經汽化的反應原料單體，將等離子體產生功率調到1～1000W，腔室內溫度調到10～100℃，進行所述等離子體化學氣相沉積；

其中靠近一基體表面的一層由含硅烷或者硅氧烷的原料沉積形成；

其中外層由一種或者多種全氟聚醚或全氟聚醚衍生物為原料氣相沉積形成；

其中含硅烷或者硅氧烷的原料選自：乙烯基三氯硅烷、3-(異丁烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、γ―氨丙基三乙氧基硅烷、γ―(2,3-環氧丙氧)?丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-（氨乙基）-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧乙氧基)硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、六甲基二硅氧烷、四甲基二硅氧烷、六乙基二硅氧烷、1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、六甲基環六硅氧烷、十二甲基環六硅氧烷、八甲基環四硅氧烷、十甲基環五硅氧烷、六甲基環三硅氧烷、十六烷基環八硅氧烷中的一種或多種混合物；

其中所述全氟聚醚或全氟聚醚衍生物具有：結構式HO-CH₂CF₂O(CF₂O)_m（CF₂CF₂O）_nCF_2?CH₂-OH，其中m和n是整數，

或者結構式HO-(CH₂CH₂O)_k?CH₂CF₂O(CF₂O)_m(CF₂CF₂O)_n?CF₂CH₂(O?CH₂CH₂)_k-OH，其中m和n是整數，k=1，2，

或者結構式CF₃O(CF₂-CF(CF₃)O)_n(CF₂?O)_m?CF₃，其中n/m=20，具有平均分子量450，

或者結構式CF₃O(C₃F₆O)_?n(CF₂?O)_mCF₃，其中n/m=20。

2.根據權利要求1所述的疏水疏油涂層，其中所述疏水疏油涂層適于沉積于織物材料的表面，所述織物材料選自：尼龍、聚酯纖維、腈綸、棉花中的一種。

3.根據權利要求1所述的疏水疏油涂層，其中在制備時連續多次沉積形成所述至少兩層結構。

4.根據權利要求1-3中任一所述疏水疏油涂層的制備方法，其特征在于，在一基體的表面多次進行等離子體化學氣相沉積形成至少兩層結構，其中一層是由一種或者多種全氟聚醚或全氟聚醚衍生物為原料進行等離子體化學氣相沉積形成，另一層是由含硅烷或者硅氧烷的原料進行等離子體化學氣相沉積形成；

其中，通入氣態的或經汽化的反應原料單體，將等離子體產生功率調到1～1000W，腔室內溫度調到10～100℃，進行所述等離子體化學氣相沉積。