[發(fā)明專利]用于真空處理設(shè)在基板上的薄膜晶體管溝道的方法、薄膜晶體管和用于真空處理基板的設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010766473.8
• 申請(qǐng)日: 2017-02-09
• 公開（公告）號(hào): CN112048698B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬庫斯·哈尼卡;約瑟夫·C·奧爾森;彼得·F·庫倫齊;尹東基;馬庫斯·本德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): C23C14/02
• 分類號(hào): C23C14/02;C23C14/48;C23C14/56;H01L21/26;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

提供一種用于真空處理基板(10)的方法。所述方法包括：使用設(shè)在處理區(qū)域(110)中的注入源(130)用粒子來輻照基板(10)或基板(10)上的第一材料層；和在用粒子輻照基板(10)或第一材料層時(shí)，使基板(10)沿著運(yùn)輸路徑(20)移動(dòng)而通過處理區(qū)域(110)。

本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2017年02月09日、申請(qǐng)?zhí)枮?01780012379.X、發(fā)明名稱為“用于真空處理設(shè)在基板上的薄膜晶體管(TFT)溝道的方法、薄膜晶體管和用于真空處理基板的設(shè)備”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容的實(shí)施方式涉及一種用于真空處理基板的方法、一種薄膜晶體管和一種用于真空處理基板的設(shè)備。本公開內(nèi)容的實(shí)施方式特別涉及用于在顯示裝置的制造中使用的物理氣相沉積(例如濺射沉積)的方法和設(shè)備。

背景技術(shù)

用于在基板上進(jìn)行層沉積的技術(shù)包括例如濺射沉積、熱蒸發(fā)和化學(xué)氣相沉積(CVD)。濺射沉積工藝可用于在基板上沉積材料層，諸如導(dǎo)電材料層。設(shè)在基板載體上的基板可被運(yùn)輸通過處理系統(tǒng)。為了在基板上執(zhí)行多個(gè)處理措施，可使用處理模塊的直列(in-line)布置。直列處理系統(tǒng)包括多個(gè)連續(xù)處理模塊，其中處理措施相繼在各個(gè)處理模塊中進(jìn)行。多種材料(諸如金屬，還包括金屬的氧化物、氮化物或碳化物)可用于沉積在基板上。涂覆材料可在若干應(yīng)用和若干技術(shù)領(lǐng)域中使用。例如，用于顯示器的基板通常通過物理氣相沉積(PVD)工藝(諸如濺射工藝)涂覆例如以在基板上形成薄膜晶體管(TFT)。

隨著新的顯示技術(shù)發(fā)展并且鑒于朝更大的顯示器尺寸的趨勢(shì)，對(duì)顯示器中使用的提供改進(jìn)的性能(例如關(guān)于電學(xué)特性的性能)的層或?qū)酉到y(tǒng)存在持續(xù)需求。作為示例，具有遷移率更高的溝道且/或具有改進(jìn)的閾值電壓(Vth)的薄膜晶體管可為有益的。

鑒于上文，克服本領(lǐng)域的至少一些問題的用于真空處理基板的新的方法、薄膜晶體管和用于真空處理基板的設(shè)備是有益的。特定地，允許更高的載流子遷移率和/或改進(jìn)的閾值電壓(Vth)的方法和設(shè)備是有益的。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上文，提供一種用于真空處理基板的方法、一種薄膜晶體管和一種用于真空處理基板的設(shè)備。本公開內(nèi)容的另外方面、益處和特征從權(quán)利要求書、說明書和附圖顯而易見。

根據(jù)本公開內(nèi)容的一方面，提供一種用于真空處理基板的方法。所述方法包括：使用設(shè)在處理區(qū)域中的注入源用粒子來輻照基板或基板上的第一材料層，和在用粒子輻照基板或第一材料層時(shí)，使基板沿著運(yùn)輸路徑移動(dòng)而通過處理區(qū)域。

根據(jù)本公開內(nèi)容的另一方面，提供一種用于真空處理基板的方法。所述方法包括：相對(duì)于設(shè)在運(yùn)輸路徑上的基板來移動(dòng)設(shè)在處理區(qū)域中的注入源，和在移動(dòng)注入源時(shí)，用由注入源提供的粒子來輻照基板或基板上的第一材料層。

根據(jù)本公開內(nèi)容的又另一方面，提供一種薄膜晶體管。薄膜晶體管包括使用本文描述的實(shí)施方式制造的溝道。

根據(jù)本公開內(nèi)容的一方面，提供一種用于真空處理基板的設(shè)備。所述設(shè)備包括：至少一個(gè)處理區(qū)域，具有至少一個(gè)注入源；至少一個(gè)沉積區(qū)域，具有一個(gè)或多個(gè)沉積源；和運(yùn)輸路徑，延伸通過至少一個(gè)處理區(qū)域和至少一個(gè)沉積區(qū)域。所述設(shè)備被配置為用由至少一個(gè)注入源提供的粒子來輻照基板或基板上的第一材料層。所述設(shè)備進(jìn)一步被配置為在用粒子輻照基板或第一材料層時(shí)，使基板沿著運(yùn)輸路徑移動(dòng)而通過處理區(qū)域。

根據(jù)本公開內(nèi)容的又另一方面，提供一種用于真空處理基板的設(shè)備。所述設(shè)備包括：至少一個(gè)處理區(qū)域，具有至少一個(gè)注入源；至少一個(gè)沉積區(qū)域，具有一個(gè)或多個(gè)沉積源；和運(yùn)輸路徑，延伸通過至少一個(gè)處理區(qū)域和至少一個(gè)沉積區(qū)域。所述設(shè)備被配置為用由至少一個(gè)注入源提供的粒子來輻照基板或基板上的第一材料層。所述設(shè)備進(jìn)一步被配置為在用粒子輻照基板或第一材料層時(shí)，相對(duì)于運(yùn)輸路徑來移動(dòng)至少一個(gè)注入源。