[發(fā)明專利]用于三維NAND硬膜應(yīng)用的納米結(jié)晶金剛石碳膜

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010766285.5
• 申請日: 2015-08-25
• 公開（公告）號: CN112053950A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳詠梅;克里斯托弗·S·恩蓋;劉菁菁;薛君;殷正操;盧多維克·戈代
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: H01L21/314
• 分類號: H01L21/314;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/311;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種用于蝕刻器件層的方法，所述方法包括下述步驟：

在器件層上沉積納米結(jié)晶金剛石層，其中所述納米結(jié)晶金剛石層與所述器件層接觸；

圖案化及蝕刻所述納米結(jié)晶金剛石層；

蝕刻所述器件層以形成通道，其中所述通道形成于所述器件層中和所述納米結(jié)晶金剛石層中；以及

移除所述納米結(jié)晶金剛石層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中蝕刻所述器件層包括：蝕刻電絕緣材料。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述器件層包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或前述材料的組合。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中蝕刻所述器件層包括：

蝕刻金屬或者金屬合金。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述器件層包括鈦、鉑、釕、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氮化鋯或金屬硅化物。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述器件層包括半導(dǎo)體浮動?xùn)艠O、導(dǎo)電納米粒子或分離式電荷儲存電介質(zhì)特征。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括下述步驟：

填充所述通道以形成特征，其中所述特征具有大于50:1的深寬比。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括下述步驟：

于沉積所述納米結(jié)晶金剛石層前，形成種晶層。

9.一種用于蝕刻器件層的方法，所述方法包括下述步驟：

將器件層沉積在基板的處理表面上，其中所述器件層與所述處理表面接觸；

在所述器件層上沉積納米結(jié)晶金剛石層，其中所述納米結(jié)晶金剛石層與所述器件層接觸，并且所述納米結(jié)晶金剛石層具有小于6nm的平均晶粒尺寸；

由所述納米結(jié)晶金剛石層形成蝕刻掩膜；

穿過所述蝕刻掩膜蝕刻所述器件層以形成通道；以及

灰化所述納米結(jié)晶金剛石層。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括下述步驟：

填充所述通道以形成特征，所述特征具有大于50:1的深寬比。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中在沉積所述納米結(jié)晶金剛石層期間，所述基板維持在介于約500攝氏度與約650攝氏度之間的溫度。

12.如權(quán)利要求9所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括下述步驟：

于沉積所述納米結(jié)晶金剛石層前，形成種晶層。

13.一種用于蝕刻器件層的方法，所述方法包括下述步驟：

將多個器件層沉積在基板上，其中所述多個器件層進(jìn)一步包括第一器件層，所述第一器件層沉積在基板的處理表面上，并且所述第一器件層與所述處理表面接觸；

在所述多個器件層上沉積納米結(jié)晶金剛石層，其中所述納米結(jié)晶金剛石層與所述多個器件層接觸；

圖案化及蝕刻所述納米結(jié)晶金剛石層以形成蝕刻掩膜；

穿過所述蝕刻掩膜蝕刻所述多個器件層以形成通道，其中所述通道形成于所述多個器件層中和所述納米結(jié)晶金剛石層中；以及

移除所述納米結(jié)晶金剛石層。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中蝕刻所述多個器件層包括：

蝕刻電絕緣材料。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中蝕刻所述多個器件層包括：

蝕刻氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或前述材料的組合。

16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中蝕刻所述多個器件層包括：

蝕刻金屬或者金屬合金。