[發(fā)明專利]一種連續(xù)可控磁疇壁移動和釘扎的器件和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010766282.1 | 申請日: | 2020-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN112002798B | 公開(公告)日: | 2022-10-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊浛;施勝賓;周浩淼;邱陽;朱明敏;郁國良 | 申請(專利權(quán))人: | 中國計量大學(xué) |
| 主分類號: | H01L41/08 | 分類號: | H01L41/08;H01L41/09;G11C11/14;G11C11/16;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 33109 | 代理人: | 尉偉敏 |
| 地址: | 310018 浙江省杭*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 連續(xù) 可控 磁疇壁 移動 器件 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種連續(xù)可控磁疇壁移動和釘扎的器件和方法,包括:壓電層,由鐵電材料制成,厚度為納米級或微米級;底電極層,設(shè)置在壓電層下,連接外部電源;磁性層,包括磁性納米薄膜,緊貼在壓電層上;頂電極,以柵極排列方式設(shè)置在磁性納米薄膜兩側(cè),連接外部電源,其中頂電極與磁性納米薄膜之間保留一定間距。本發(fā)明的實質(zhì)性效果包括:通過底電極層和頂電極對壓電層施加電壓,壓電層產(chǎn)生的形變傳遞至磁性層,影響電極區(qū)域內(nèi)磁性層的磁各向異性,進而控制其中磁疇壁的移動和釘扎,有利于提高賽道存儲移動和釘扎磁疇壁的精準(zhǔn)性,提高賽道存儲的可靠性和穩(wěn)定性的同時降低能量損耗。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及自旋電子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種連續(xù)可控磁疇壁移動和釘扎的器件和方法。
背景技術(shù)
賽道存儲器作為一種新型的非易失性自旋信息存儲器件,對于構(gòu)筑未來立體存儲框架具有很高的應(yīng)用潛力。如授權(quán)公告號CN102124526B的發(fā)明公開了一種磁賽道存儲器裝置。賽道存儲器通過磁疇的形式在磁性納米條帶上存儲多位信息,多位信息之間通過磁疇壁進行區(qū)分,從而達(dá)到高密度存儲的目的,同時也可實現(xiàn)快速的信息讀寫。賽道存儲器的納米條帶下面有一個與之垂直的電極作為數(shù)據(jù)的寫線。當(dāng)給電極注入脈沖電流,電流產(chǎn)生的奧斯特場可以改變與之相鄰的納米條帶的磁化方向,這樣可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入或修改。之后通過電流產(chǎn)生的自旋轉(zhuǎn)移力矩效應(yīng)驅(qū)動所有疇壁同步進行移動。
但現(xiàn)有技術(shù)中驅(qū)動賽道存儲器中磁疇壁移動需要布置金屬帶線產(chǎn)生奧斯特磁場,導(dǎo)致存儲單元體積增加,存儲器件功耗增加;注入自旋極化電流導(dǎo)致磁疇壁無法準(zhǔn)確釘扎在數(shù)據(jù)訪問端口,導(dǎo)致讀取數(shù)據(jù)存在不確定性。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中磁疇壁無法準(zhǔn)確釘扎在數(shù)據(jù)訪問端口,導(dǎo)致讀取數(shù)據(jù)存在不確定性的問題,本發(fā)明提供了一種連續(xù)可控磁疇壁移動和釘扎的器件和方法,通過底電極層和頂電極對壓電層施加電壓,壓電層產(chǎn)生的形變傳遞至磁性層,影響電極區(qū)域內(nèi)磁性層的磁各向異性,進而控制其中磁疇壁的移動和釘扎,解決上述問題。
以下是本發(fā)明的技術(shù)方案。
一種連續(xù)可控磁疇壁移動和釘扎的器件,包括:壓電層,由鐵電材料制成,厚度為納米級或微米級;底電極層,設(shè)置在壓電層下,連接外部電源;磁性層,包括磁性納米薄膜,緊貼在壓電層上;頂電極,以柵極排列方式設(shè)置在磁性納米薄膜兩側(cè),連接外部電源,其中頂電極與磁性納米薄膜之間保留一定間距。本發(fā)明可以通過輪流在各個電極上施加的脈沖電壓,并根據(jù)實際疇壁運動的速度來進行調(diào)整脈沖的幅度,寬度和起始點,最終控制磁性層磁疇壁的移動。由于磁性層與壓電層是緊密連接的,具有界面效應(yīng)。所以壓電層上傳遞過來的應(yīng)力對磁性層的磁晶各向異性具有影響,而磁性納米薄膜本身具有形狀各向異性,這兩者是決定磁性納米薄膜上的磁化的方向的重要因素。
作為優(yōu)選,所述頂電極與磁性納米薄膜之間的距離為磁性納米薄膜寬度的1/4~1/5。
作為優(yōu)選,磁性納米薄膜同一側(cè)的頂電極間的距離為20nm~60nm。距離設(shè)置的越大,由于應(yīng)力具有局域性,電極對疇壁調(diào)控的效果則越差。距離設(shè)置的越小,則不同電極之間的相互干擾越強,因此該范圍是一個合理的范圍。
一種連續(xù)可控磁疇壁移動和釘扎的方法,用于上述的一種連續(xù)可控磁疇壁移動和釘扎的器件,包括以下步驟:根據(jù)需求在頂電極上施加電壓使壓電層產(chǎn)生應(yīng)力應(yīng)變,界面效應(yīng)使應(yīng)力應(yīng)變傳遞到磁性納米薄膜,引起磁性納米薄膜的磁各向異性的改變,使得磁性納米薄膜內(nèi)磁疇壁向靠近該頂電極的方向移動,根據(jù)需要為該方向上的頂電極輪流施加電壓,使磁疇壁繼續(xù)移動。
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