[發(fā)明專利]一種優(yōu)化米勒電容的功率器件及制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010766099.1
• 申請(qǐng)日: 2020-08-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111952353A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龔大衛(wèi);劉劍;鄭澤人;王玉林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 揚(yáng)州國(guó)揚(yáng)電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/423;H01L23/64;H01L29/739;H01L21/335
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 張弛

1.一種優(yōu)化米勒電容的功率器件，包括N型襯底(4)、位于N型襯底(4)下方的集電極(3)、位于N型襯底(4)上層邊緣的P型井(5)、位于P型井(5)中的重?fù)诫sN型區(qū)(6)和重?fù)诫sP型區(qū)(7)、位于重?fù)诫sN型區(qū)(6)和重?fù)诫sP型區(qū)(7)上方的發(fā)射極(2)、位于N型襯底(4)上層中間的柵氧化層(8)和位于柵氧化層(8)上方的柵極(1)，其特征在于：所述柵氧化層(8)包括中間部分及邊緣部分；中間部分厚度大于邊緣部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化米勒電容的功率器件，其特征在于，所述柵氧化層(8)下方電子電流和空穴電流流經(jīng)的區(qū)域與柵氧化層(8)中間部分所在區(qū)域不重疊。

3.一種優(yōu)化米勒電容的功率器件，包括N型襯底(4)、位于N型襯底(4)下方的集電極(3)、位于N型襯底(4)上層邊緣的P型井(5)、位于P型井(5)中的重?fù)诫sN型區(qū)(6)和重?fù)诫sP型區(qū)(7)、位于重?fù)诫sN型區(qū)(6)和重?fù)诫sP型區(qū)(7)上方的發(fā)射極(2)、位于N型襯底(4)上層中間的柵氧化層(8)和位于柵氧化層(8)上方的柵極(1)，其特征在于：所述柵氧化層(8)包括中間部分及邊緣部分；中間部分的厚度為2000-5000埃；邊緣部分的厚度為1000-1500埃。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的優(yōu)化米勒電容的功率器件，其特征在于，所述柵氧化層(8)下方電子電流和空穴電流流經(jīng)的區(qū)域與柵氧化層(8)中間部分所在區(qū)域不重疊。

5.一種優(yōu)化米勒電容的功率器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：在N型襯底(4)上方進(jìn)行第一次柵氧化層生長(zhǎng)；

步驟二：對(duì)步驟一中的柵氧化層進(jìn)行光刻工藝和刻蝕工藝，只保留N型襯底(4)中間部分的柵氧化層；

步驟三：進(jìn)行第二次柵氧化層生長(zhǎng)，形成中間部分厚度大于邊緣部分的柵氧化層；

步驟四：形成柵極(1)、發(fā)射極(2)、集電極(3)、P型井(5)、重?fù)诫sN型區(qū)(6)和重?fù)诫sP型區(qū)(7)。