[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202010765884.5
• 申請日: 2020-08-03
• 公開（公告）號: CN114068567A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 潘增耀;尤建祥;陳宏生;王景擁;韋承宏
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11529
• 分類號: H01L27/11529;H01L27/11531;H01L27/11573;H01L21/033
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 董驍毅;孫乳筍

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

形成一主動層于一基板上，其中所述基板具有相鄰的一字線預定區以及一選擇柵極預定區；

形成一硬遮罩堆疊于所述主動層上，其中所述硬遮罩堆疊包括依序形成于所述主動層上的一第一硬遮罩層、一第二硬遮罩層、以及一第三硬遮罩層；

圖案化所述第三硬遮罩層，以形成多個第三硬遮罩于所述選擇柵極預定區與所述字線預定區，其中在所述字線預定區最靠近所述選擇柵極預定區的兩個緊臨的第三硬遮罩之間具有一第一間距，所述第一間距小于所述第三硬遮罩中的任何其他兩個之間的一第二間距；

形成多個間隔物于所述第三硬遮罩的側壁上，其中在所述兩個緊臨的第三硬遮罩的相對的側壁上的兩個間隔物合并成一組合間隔物；

去除所述第三硬遮罩；

形成一圖案化遮罩結構于所述選擇柵極預定區中且覆蓋所述第二硬遮罩層與所述間隔物；以及

將所述間隔物的圖案轉移到所述主動層，以于所述字線預定區中形成多個字線，以及將所述圖案化遮罩結構的圖案轉移到所述主動層，以于所述選擇柵極預定區中形成一選擇柵極，其中將所述間隔物的圖案轉移到所述主動層的步驟包括將所述組合間隔物的圖案轉移到所述主動層，以在最靠近所述選擇柵極處形成一第一字線。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二間距與所述第一間距的比值為1.5至小于3之間。

3.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述組合間隔物的頂部具有V型輪廓。

4.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述組合間隔物的寬度與其他任一間隔物的寬度的比值為大于1至2之間。

5.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述圖案化遮罩結構的高度與所述間隔物之中任一間隔物的高度的比值為1.5以上。

6.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述間隔物于所述第三硬遮罩的側壁上的步驟包括：

順應性沉積一間隔物材料層于所述第三硬遮罩上方與側壁上以及所述第二硬遮罩層上；以及

非等向性刻蝕所述間隔物材料層直到露出部分所述第二硬遮罩層的頂面。

7.根據權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，每個第三硬遮罩都包括一介電遮罩與于所述介電遮罩上的一犧牲遮罩。

8.根據權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，順應性沉積所述間隔物材料層于所述第三硬遮罩上方與側壁上的步驟包括沉積所述間隔物材料層于每個第三硬遮罩中的所述犧牲遮罩上方以及所述犧牲遮罩與所述介電遮罩的側壁上；以及

其中非等向性刻蝕所述間隔物材料層的步驟包括去除所述犧牲遮罩上方與所述犧牲遮罩的側壁上的所述間隔物材料層。

9.根據權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，每個間隔物的頂面與每個介電遮罩與犧牲遮罩之間的接口齊平。

10.一種半導體結構，其特征在于，包括：

一基板；

多個字線，設置于所述基板上；

一選擇柵極，設置于所述基板上，其中所述字線中的最靠近所述選擇柵極的一第一字線的寬度大于任何其他字線的寬度；以及

一摻雜區，設置于相鄰的所述字線之間的所述基板中以及所述字線與所述選擇柵極之間的所述基板中。