[發明專利]氧化層、半導體結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202010765569.2
• 申請日: 2020-08-03
• 公開（公告）號: CN114068323A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 張黎
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/28;H01L29/423;H01L27/108
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種氧化層的制作方法，其特征在于，包括：

在第一溫度下將含氮氧化物氣體和氫氣反應，以形成第一氧化層，反應氣體中所述氫氣的體積濃度為第一濃度；

在第二溫度下將氧氣和氫氣進行反應，以在所述第一氧化層的表面形成第二氧化層，反應氣體中所述氫氣的體積濃度為第二濃度；

其中，所述第一溫度小于所述第二溫度，且所述第一濃度大于所述第二濃度。

2.如權利要求1所述的氧化層的制作方法，其特征在于，所述第一氧化層及所述第二氧化層均采用原位水蒸氣氧化法工藝制成。

3.如權利要求2所述的氧化層的制作方法，其特征在于，所述第一溫度為600℃～800℃；所述第二溫度為800℃～1050℃。

4.如權利要求2所述的氧化層的制作方法，其特征在于，所述第一濃度為5％～33％；所述第二濃度為小于5％。

5.如權利要求1所述的氧化層的制作方法，其特征在于，所述含氮氧化物氣體包括一氧化二氮、一氧化氮、二氧化氮、三氧化二氮、四氧化二氮和五氧化二氮中的至少一種。

6.如權利要求1所述的氧化層的制作方法，其特征在于，所述第一氧化層的厚度在所述氧化層的厚度中的占比為20％～50％。

7.一種氧化層，其特征在于，所述氧化層采用如權利要求1至6中任一項所述的制作方法制作而形成。

8.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底的表面形成柵間介質層，所述柵間介質層包括氧化層，所述氧化層采用如權利要求1至6中任一項所述的氧化層的制作方法形成；

在所述柵間介質層遠離所述基底的表面形成柵極導電層；

對所述柵間介質層和所述柵極導電層圖形化處理形成柵極結構；

在所述柵極結構的側壁形成側墻。

9.如權利要求8所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，在所述基底的表面形成所述柵間介質層還包括：

在所述氧化層遠離所述基底的表面形成氮化物層，所述氮化物層與所述氧化層共同構成所述柵間介質層。

10.如權利要求8所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述氮化物層包括等離子體滲氮層及氮氧化硅層中的至少一種。

11.如權利要求8至10中任一項所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述基底內形成有淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構在所述基底內隔離出若干個有源區；所述柵間介質層形成于所述有源區的表面。

12.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構采用如權利要求8至11中任一項所述的制作方法制作而得到。