[發明專利]TVS二極管兩片式框架組件及加工方法

在審

• 申請號: 202010765302.3
• 申請日: 2020-08-03
• 公開（公告）號: CN111755408A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 薛偉;呂強;肖寶童;金銘;熊鵬程;王毅
• 申請（專利權）人: 揚州揚杰電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L29/861;H01L21/60;H01L21/329
• 代理公司: 揚州市蘇為知識產權代理事務所(普通合伙) 32283
• 代理人: 周全

TVS二極管兩片式框架組件及加工方法。涉及半導體器件技術領域，具體涉及TVS二極管的兩片式框架。包括上框架組件和下框架組件，所述下框架組件包括下框架上邊、下框架下邊，以及連接在所述下框架上邊和所述下框架下邊之間的若干下框架筋條，在所述下框架筋條的兩側均布有若干下框架單元；所述上框架組件包括上框架上邊、上框架下邊，以及連接在所述上框架上邊和所述上框架下邊的一根上框架筋條；所述上框架筋條的兩側均布有若干上框架單元；所述上框架組件疊加在所述下框架組件上時，所述下框架單元和所述上框架單元一一對位。本發明減少了應力對TVS二極管的影響，提高TVS二極管在后期使用中的穩定性，并延長了TVS二極管的使用壽命。

技術領域

本發明涉及半導體器件技術領域，具體涉及TVS二極管的兩片式框架。

背景技術

TVS二極管，又稱為瞬態抑制二極管,是普遍使用的一種新型高效電路保護器件，它具有極快的響應時間(亞納秒級)和相當高的浪涌吸收能力。當它的兩端經受瞬間的高能量沖擊時，TVS能以極高的速度把兩端間的阻抗值由高阻抗變為低阻抗，以吸收一個瞬間大電流，把它的兩端電壓箝制在一個預定的數值上，從而保護后面的電路元件不受瞬態高壓尖峰脈沖的沖擊。

TVS二極管作為電路中的保護器件，自身的質量就顯得尤為重要。目前TVS二極管在生產過程中，切筋和彎腳過程中產生的應力。在后期使用過程中，應力的釋放會影響TVS二極管穩定性，從而導致其失效。

發明內容

本發明針對以上問題，提供了一種能削弱生產過程中產生的振動力和應力的TVS二極管兩片式框架組件。

本發明的技術方案是：TVS二極管框架組件，包括上框架組件和下框架組件，所述下框架組件包括下框架上邊、下框架下邊，以及連接在所述下框架上邊和所述下框架下邊之間的若干下框架筋條，在所述下框架筋條的兩側均布有若干下框架單元；所述上框架組件包括上框架上邊、上框架下邊，以及連接在所述上框架上邊和所述上框架下邊的一根上框架筋條；所述上框架筋條的兩側均布有若干上框架單元；所述上框架組件疊加在所述下框架組件上時，所述下框架單元和所述上框架單元一一對位。

所述上框架組件的所述上框架上邊和所述上框架下邊上分別設有上框架組件定位孔；所述下框架組件的所述下框架上邊和所述下框架下邊分別設有下框架組件定位孔；所述上框架組件定位孔與所述下框架組件定位孔的位置相對位。

所述上框架組件的上框架上邊的一端設有倒角。

所述下框架組件的下框架上邊的另一端設有倒角。

所述上框架單元通過上引腳連接所述上框架筋條，在所述上引腳的表面開設有至少一根上壓槽。

在所述上引腳的表面還開設有至少一根上壓痕。

所述下框架單元通過下引腳連接所述下框架筋條，在所述下引腳的表面開設有至少一根下壓槽。

在所述下引腳的表面開設有至少一根下壓痕。

TVS二極管框架組件加工TVS二極管的方法，按以下步驟進行：

1）、將下框架組件定位安置于焊接治具內，并在若干下框架單元的芯片承載面上逐一放置TVS二極管芯片；

2）、再將上框架組件逐個定位堆疊到所述下框架組件上，使上框架單元的芯片連接面覆蓋在所述TVS二極管芯片的頂面；

3）、焊接，封裝；

4）、低振動傳導切斷，制得。

在步驟4）后，沿上壓槽和/或下壓槽將上引腳和/或下引腳折彎。