[發明專利]一種晶圓表面加工的方法在審
| 申請號: | 202010765288.7 | 申請日: | 2020-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN114068298A | 公開(公告)日: | 2022-02-18 |
| 發明(設計)人: | 龍命潮 | 申請(專利權)人: | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;B24B19/22 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫 |
| 地址: | 523087 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 表面 加工 方法 | ||
1.一種晶圓表面加工的方法,其特征在于,包括:
采用第一目數的砂輪對晶圓的表面進行粗磨,粗磨的深度為預設的第一深度;
采用第二目數的砂輪對所述晶圓的表面進行精磨,精磨的深度為預設的第二深度;所述第二深度小于所述第一深度,所述第二目數大于第一目數;
用腐蝕液對所述晶圓的表面進行刻蝕,刻蝕的深度為預設的第三深度;所述第三深度小于所述第二深度;所述腐蝕液包括由硝酸、氫氟酸和冰乙酸組成的混酸液。
2.根據權利要求1所述的晶圓表面加工的方法,其特征在于,所述混酸液中的硝酸、氫氟酸和冰乙酸的體積比為6:3:1。
3.根據權利要求1所述的晶圓表面加工的方法,其特征在于,所述腐蝕液還包括氧化劑、絡合劑、表面活性劑和去離子水,所述腐蝕液中各組分的質量百分比分別為:混酸液25%,氧化劑10%,絡合劑5~6%,表面活性劑2%,去離子水57~58%。
4.根據權利要求1所述的晶圓表面加工的方法,其特征在于,所述采用第一目數的砂輪對晶圓的表面進行粗磨,具體為:
采用第一目數的砂輪以向下進給速率80-100μm/s且砂輪轉速為4000rpm的磨削方式,對晶圓的表面進行粗磨。
5.根據權利要求1所述的晶圓表面加工的方法,其特征在于,所述采用第二目數的砂輪對所述晶圓的表面進行精磨,具體為:
采用第二目數的砂輪以向下進給速率10-20μm/s且砂輪轉速為5000rpm的磨削方式,對所述晶圓的表面進行精磨。
6.根據權利要求1所述的晶圓表面加工的方法,其特征在于,所述第一目數為800目,所述第二目數為1200目。
7.根據權利要求1所述的晶圓表面加工的方法,其特征在于,所述腐蝕液的溫度為0~-10℃。
8.根據權利要求1所述的晶圓表面加工的方法,其特征在于,用腐蝕液對所述晶圓的表面進行刻蝕的時間為3-5min。
9.根據權利要求1-8任一項所述的晶圓表面加工的方法,其特征在于,所述第一深度為2mm,所述第二深度為450-500um,所述第三深度為100-500nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





