[發(fā)明專利]一種太赫茲抗菌無紡布及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010763138.2 | 申請(qǐng)日： | 2020-07-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111876909A | 公開（公告）日： | 2020-11-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 邱童;張小平;韓燕倉;成龍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 高意匠新材料科技（蘇州）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | D04H3/007 | 分類號(hào)： | D04H3/007;D04H3/10;D01F6/46;D01F1/10 |
| 代理公司： | 上海微策知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31333 | 代理人： | 張靜 |
| 地址： | 215200 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 赫茲 抗菌 無紡布 及其 制備 方法 | ||
1.一種太赫茲抗菌無紡布，其特征在于，所述無紡布的制備原料，按重量百分比計(jì)，至少包括以下組分：太赫茲功能母粒5-20％、紡絲級(jí)聚烯烴80-95％；所述太赫茲功能母粒的制備原料至少包括以下組分：太赫茲礦物材料、載體和助劑；所述太赫茲礦物材料、載體和助劑的重量比為1：(2-10)：(0.01-0.07)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲抗菌無紡布，其特征在于，所述太赫茲礦物材料的粒徑為50nm-10μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太赫茲抗菌無紡布，其特征在于，所述太赫茲礦物材料的中心粒徑D50為100nm-800nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲抗菌無紡布，其特征在于，所述太赫茲礦物材料中氧化硅含量為50wt-80wt％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲抗菌無紡布，其特征在于，所述太赫茲礦物材料中至少包括鉀、鈉、鐵、磷、鈣、鎂、鍶、銣、鈮、鎵中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲抗菌無紡布，其特征在于，所述太赫茲礦物材料選自長石、麥飯石、電氣石、角閃石、砭石和赭石中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太赫茲抗菌無紡布，其特征在于，所述長石的重量至少占太赫茲礦物材料總重量的25wt％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲抗菌無紡布，其特征在于，所述載體選自PET、PBT、PP、PA、PE、PC、PVC、PEO、EVA、PS、PMMA和ABS中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太赫茲抗菌無紡布，其特征在于，所述紡絲級(jí)聚烯烴為聚丙烯。
10.一種根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述太赫茲抗菌無紡布的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：將太赫茲功能母粒和紡絲級(jí)聚烯烴混合，然后經(jīng)高溫熔融、噴絲、鋪綱、熱壓卷取連續(xù)一步法制得。
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