[發明專利]一種疏水型隔熱降溫膜及其制備方法有效
| 申請號: | 202010762762.0 | 申請日: | 2020-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN111910442B | 公開(公告)日: | 2021-09-24 |
| 發明(設計)人: | 王璟;楊玲妮;楚增勇;郭濤濤;孫駿宇;周滸林;謝敏 | 申請(專利權)人: | 中國人民解放軍國防科技大學 |
| 主分類號: | D06N3/04 | 分類號: | D06N3/04;D06N3/06;D06N3/12;D06N3/00 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 何文紅 |
| 地址: | 410073 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 疏水 隔熱 降溫 及其 制備 方法 | ||
1.一種疏水型隔熱降溫膜,其特征在于,所述疏水型隔熱降溫膜為聚合物多孔膜;所述疏水型隔熱降溫膜的內部為海綿狀結構,孔洞孔徑呈雙峰分布,寬分布分別為0.2μm~0.6μm和1μm~5μm;所述疏水型隔熱降溫膜的孔隙率為30%~90%;所述疏水型隔熱降溫膜由聚合物多孔膜堆疊而成;所述疏水型隔熱降溫膜的厚度為60μm~1300μm;所述疏水型隔熱降溫膜的表面具有胞腔狀孔洞,所述胞腔狀孔洞之間通過孔壁上的納米小洞相互連通;所述胞腔狀孔洞的孔徑為1μm~10μm;所述聚合物多孔膜由液滴狀聚合物和纖維狀聚合物混合而成;所述聚合物為含氟聚合物。
2.根據權利要求1所述的疏水型隔熱降溫膜,其特征在于,所述疏水型隔熱降溫膜的孔隙率為50%~80%;所述疏水型隔熱降溫膜的內部孔洞通過孔洞孔壁上的納米小洞連通。
3.根據權利要求1所述的疏水型隔熱降溫膜,其特征在于,所述含氟聚合物為聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯基共聚物中的至少一種;所述聚偏氟乙烯基共聚物包括聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)、聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯)、聚(偏氟乙烯-六氟丙烯)、聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯)、聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-氟氯乙烯)中的至少一種。
4.一種如權利要求1~3中任一項所述的疏水型隔熱降溫膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、將聚合物溶解到有機良溶劑中,得到聚合物溶液;所述聚合物為含氟聚合物;
S2、將非溶劑滴加到步驟S1中的聚合物溶液中,攪拌,直至形成透明溶液,得到前驅體溶液;
S3、將步驟S2中得到的前驅體溶液噴涂到襯底上,形成疏水型隔熱降溫濕膜;
S4、將步驟S3中得到的疏水型隔熱降溫濕膜烘干,得到疏水型隔熱降溫膜。
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,步驟S3中,所述前驅體溶液中聚合物、有機良溶劑和非溶劑的質量比為6~15∶73~89∶5~12。
6.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,步驟S3中,所述噴涂為:將前驅體溶液置于噴槍中,移動噴槍將前驅體溶液垂直噴向襯底表面形成一長條狀料痕,噴涂結束后將噴槍沿著垂直料痕方向移動,移動距離為0.4倍~0.6倍料痕的寬度;噴槍反向移動,連續將前驅體溶液垂直噴涂在長條狀料痕上,重復上述過程,直至達到設計要求。
7.根據權利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述噴涂過程中噴槍的移動次數為20次~120次;所述噴涂過程中噴槍的噴嘴與襯底垂直,間隔距離為10cm~45cm;所述噴涂過程中噴槍的移動速度為10cm/s~40cm/s;所述噴涂過程中噴槍噴嘴的氣體壓強為2MPa~6MPa;所述噴涂過程中采用的載氣為空氣;所述噴涂過程中控制前驅體溶液的噴出流量為0.1mL/s~4mL/s;所述噴涂過程中,每噴涂200mL~400mL的前驅體溶液后,采用丙酮潤洗噴槍的噴嘴;所述襯底為布、玻璃、木板、金屬板、高分子膜中的其中一種;所述布為編織布、無紡布中的其中一種。
8.根據權利要求4~7中任一項所述的制備方法,其特征在于,步驟S1中,所述含氟聚合物為聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯基共聚物中的至少一種;所述聚偏氟乙烯基共聚物包括聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)、聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯)、聚(偏氟乙烯-六氟丙烯)、聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯)、聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-氟氯乙烯)中的至少一種;所有機良溶劑為丙酮、磷酸三甲酯、二甲基亞砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、丙二醇、N-甲基吡咯烷酮、四氫呋喃、四甲基脲、六甲基磷酸酰胺、六氟異丙醇中的至少一種;所述溶解為將聚合物溶和有機良溶劑混合,攪拌,直至聚合物溶解到有機良溶劑中;所述攪拌在速度為50rpm~180rpm、溫度為40℃~70℃的條件下進行;
步驟S2中,所述非溶劑為水、含有1個碳到8個碳的醇、丙酸乙酯中的至少一種;所述非溶劑的滴加速率為2mL/min~10mL/min;所述攪拌在速度為150rpm~250rpm、溫度為40℃~70℃下進行;
步驟S4中,所述烘干在真空條件下進行;所述烘干在溫度為25℃~40℃下進行;所述烘干的時間為4h~10h。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國人民解放軍國防科技大學,未經中國人民解放軍國防科技大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010762762.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種乳腺腫瘤定位裝置
- 下一篇:掩膜板、顯示面板及制備方法





