[發(fā)明專利]一種超高精度的硅象限光電探測器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010762493.8 | 申請日: | 2020-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN112054075B | 公開(公告)日: | 2023-01-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 卜京;王亞赫;卜暉;朱華海 | 申請(專利權)人: | 重慶鷹谷光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352;H01L31/103 |
| 代理公司: | 重慶百潤洪知識產(chǎn)權代理有限公司 50219 | 代理人: | 程宇 |
| 地址: | 400000 *** | 國省代碼: | 重慶;50 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 超高 精度 象限 光電 探測器 | ||
1.一種超高精度的硅象限光電探測器,其在各象限光敏元之間及其周圍的襯底表面上設置一環(huán)極,該環(huán)極是用與襯底同型雜質(zhì),并與襯底背面電極同時擴散或注入形成的高低結,所述環(huán)極通過引線與襯底背面的各象限光敏元的公共電極直接相連,其特征在于:
在“雙四”象限光電探測器的“內(nèi)四”象限光敏元和“外四”象限光敏元之間不設置環(huán)極,從而形成“內(nèi)四”環(huán)極缺口,或者,在“單四”象限光電探測器的光敏元弧邊所對應的環(huán)極的中間部位開設一個缺口,該缺口的寬度為該光敏元外沿弧長的1/2~1/4長度。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種超高精度的硅象限光電探測器,其特征在于,在“雙四”象限光電探測器的“外四”光敏元外沿所對應的環(huán)極或者“單四”象限光電探測器的光敏元外沿所對應的環(huán)極外邊0.1~0.15mm處,再設置0.2~0.5mm寬度的環(huán)形隔離二極管,該隔離二極管與各光敏元摻入的雜質(zhì)同型,且同時擴散或注入而成。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種超高精度的硅象限光電探測器,其特征在于,所述環(huán)極是依硅象限光電探測器各象限光敏元的數(shù)量和形狀而定,對于硅象限光電探測器的管芯是圓形的“單四”象限光電探測器,它的管芯由四個扇形的光敏元構成,則環(huán)極的形狀是一個帶四個對稱缺口的環(huán)形加十字形的組合形狀;對于硅象限光電探測器的管芯是圓形的“雙四”象限光電探測器,它的管芯是由“內(nèi)四”和“外四”八個扇形的象限光敏元構成,則環(huán)極的形狀是一個僅“外四”帶同心的環(huán)形加經(jīng)過“內(nèi)四”的大十字形組合成的網(wǎng)狀形狀。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于重慶鷹谷光電股份有限公司,未經(jīng)重慶鷹谷光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010762493.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





