[發明專利]多層陶瓷電容器

在審

• 申請號: 202010762364.9
• 申請日: 2020-07-31
• 公開（公告）號: CN112786311A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 樸宰成;金正烈;徐仁泰;金鍾翰;權亨純;田喜善
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/005;H01G4/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 何巨;錢海洋

1.一種多層陶瓷電容器，包括：

陶瓷主體，包括彼此相對的第一表面和第二表面以及連接所述第一表面和所述第二表面的第三表面和第四表面；

多個內電極，設置在所述陶瓷主體的內部，從所述第一表面和所述第二表面暴露，并且每個內電極具有從所述第三表面或所述第四表面暴露的一端；以及

第一側邊緣和第二側邊緣，分別設置在所述多個內電極的端部從其暴露的所述第一表面和所述第二表面上，

其中，所述第一側邊緣和所述第二側邊緣包括鈦酸鋇基的基體材料和副成分，

其中，所述副成分包括包含鑭系稀土元素的第一副成分，所述第一副成分包括Tb，并且Tb的含量與所述第一副成分的除了Tb之外的部分RE的含量的含量比滿足0.110≤Tb/RE≤2.333。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，相對于100mol的所述基體材料，Tb的含量滿足0.15mol≤Tb≤1.35mol。

3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述副成分還包括Mg和Ba，并且所述副成分的Mg的含量與Ba的含量的含量比滿足0.125≤Mg/Ba≤0.500。

4.根據權利要求3所述的多層陶瓷電容器，其中，相對于100mol的所述基體材料，Mg的含量滿足0.25mol≤Mg≤1.0mol。

5.根據權利要求3所述的多層陶瓷電容器，其中，相對于100mol的所述基體材料，所述副成分的Ba的含量滿足0.5mol≤Ba≤3.0mol。

6.根據權利要求3所述的多層陶瓷電容器，其中，所述副成分還包括：

第二副成分，包括包含Mg的碳酸鹽或氧化物；以及

第三副成分，所述第三副成分含有包含Si、Ba和Al中的至少一種的氧化物或碳酸鹽和包含Si的玻璃化合物中的至少一種，

其中，Mg的含量與Ba和Si的總含量的含量比滿足0.09≤Mg/(Ba+Si)≤0.19。

7.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，相對于100mol的所述基體材料，所述副成分包括大于0mol且小于等于4.0mol的量的所述第一副成分，所述第一副成分包含包括Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Sm、La、Yb和Pr中的至少一種的氧化物或碳酸鹽。

8.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，包括在所述第一側邊緣和所述第二側邊緣中的介電組合物與包括在所述陶瓷主體中的介電組合物不同。

9.一種多層陶瓷電容器，包括：

陶瓷主體，包括彼此相對的第一表面和第二表面以及連接所述第一表面和所述第二表面的第三表面和第四表面；

多個內電極，設置在所述陶瓷主體內部，從所述第一表面和所述第二表面暴露，并且每個內電極具有從所述第三表面或所述第四表面暴露的一端；以及

第一側邊緣和第二側邊緣，分別設置在所述多個內電極的端部從其暴露的所述第一表面和所述第二表面上，

其中，所述第一側邊緣和所述第二側邊緣包括鈦酸鋇基的基體材料以及副成分，

其中，所述副成分包括包含鑭系稀土元素的第一副成分，所述第一副成分包括Tb，

其中，Tb的含量與所述第一副成分的除了Tb之外的部分RE的含量的含量比滿足0.110≤Tb/RE≤2.333，并且

其中，包括在所述第一側邊緣和所述第二側邊緣中的Tb的含量與包括在所述第一側邊緣和所述第二側邊緣中的所述基體材料的含量的含量比大于包括在所述陶瓷主體中的Tb的含量與包括在所述陶瓷主體中的鈦酸鋇基基體材料的含量的含量比。

10.根據權利要求9所述的多層陶瓷電容器，其中，相對于包括在所述第一側邊緣和所述第二側邊緣中的100mol的所述基體材料，包括在所述第一側邊緣和所述第二側邊緣中的Tb的含量滿足0.15mol≤Tb≤1.35mol。