[發明專利]叉指電極結構及其制造方法和具有該結構的聲表面波器件有效
| 申請號: | 202010761971.3 | 申請日: | 2020-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN111934644B | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發明(設計)人: | 李林萍;盛荊浩;江舟 | 申請(專利權)人: | 見聞錄(浙江)半導體有限公司 |
| 主分類號: | H03H9/02 | 分類號: | H03H9/02;H03H9/145 |
| 代理公司: | 廈門福貝知識產權代理事務所(普通合伙) 35235 | 代理人: | 陳遠洋 |
| 地址: | 313000 浙江省湖州市康*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電極 結構 及其 制造 方法 具有 表面波 器件 | ||
1.一種叉指電極結構,所述叉指電極結構被設置在襯底上,其中,所述叉指電極結構中的叉指電極的叉指末端被離子注入以形成摻雜部并且增加所述末端的質量。
2.根據權利要求1所述的叉指電極結構,其中,所述叉指電極包括電極本體以及覆蓋在所述電極本體上的保護層,其中位于末端的所述電極本體和/或所述保護層被離子注入。
3.根據權利要求2所述的叉指電極結構,其中,所述保護層為鈍化層和/或溫度補償層。
4.根據權利要求2所述的叉指電極結構,其中,所述離子注入中的離子為金屬離子。
5.根據權利要求4所述的叉指電極結構,其中,所述金屬離子的質量大于所述電極本體的金屬離子。
6.根據權利要求1所述的叉指電極結構,其中,所述叉指電極結構包括多層叉指電極,并且所述多層叉指電極中的至少一層被離子注入形成所述摻雜部。
7.根據權利要求1-6中任一項所述的叉指電極結構,其中,所述叉指電極的邊緣被離子注入以形成摻雜部。
8.一種聲表面波器件,其包括權利要求1-7中任一項所述的叉指電極結構,其中,所述聲表面波器件為濾波器或諧振器。
9.一種用于制造叉指電極結構的方法,其中,包括以下步驟:
S1,制備具有壓電層的襯底;
S2,在所述襯底上制作叉指電極;以及
S3,對所述叉指電極進行離子注入以在所述叉指電極的叉指末端形成摻雜部并且增加所述末端的質量。
10.根據權利要求9所述的方法,其中,步驟S3具體包括以下子步驟:
S31,在所述襯底及所述叉指電極上制作掩膜,并且露出需要被離子注入的區域;
S32,對所述叉指電極進行離子注入;
S33,去除掩膜;以及
S34,制作覆蓋所述叉指電極的保護層。
11.根據權利要求9所述的方法,其中,步驟S3具體包括以下子步驟:
S31’,在所述襯底及所述叉指電極上制作保護層;
S32’,在所述保護層上制作掩膜,并且露出需要被離子注入的區域;
S33’,對所述保護層進行離子注入;以及
S34’,去除掩膜。
12.根據權利要求10所述的方法,其中,所述步驟S3還包括以下步驟:
S35,在所述保護層上制作另一掩膜,并且露出需要被離子注入的區域;
S36,對所述保護層進行離子注入;
S37,去除所述另一掩膜。
13.根據權利要求10-12中任一項所述的方法,其中,所述需要被離子注入的區域包括所述叉指電極和/或保護層的末端區域。
14.根據權利要求10-12中任一項所述的方法,其中,所述需要被離子注入的區域包括所述叉指電極和/或保護層的邊緣區域。
15.根據權利要求9所述的方法,其中,在所述步驟S2和S3之間還包括以下步驟:
利用氬氣離子對所述叉指電極的末端進行轟擊以實現表面清洗。
16.根據權利要求15所述的方法,其中,所述轟擊的時間被控制在3分鐘以內。
17.一種利用權利要求9-16中任一項所述的方法制作而成的聲表面波器件,其中,所述器件包括濾波器或諧振器。
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