[發(fā)明專利]一種新型紫外LED芯片結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010761702.7
• 申請日: 2020-07-31
• 公開（公告）號: CN111769185A
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周啟航
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山紫熙慧眾科技有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32
• 代理公司: 佛山市海融科創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;唐敏珊

1.一種新型紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括由下至上依次設(shè)置的襯底、AlNbuffer 、n型導(dǎo)電層、紫外波段有源區(qū)多量子阱、p型層；在p型層中設(shè)置有周期性的孔洞，在每個孔洞內(nèi)設(shè)置一個紫外DBR層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，通過采用ICP干法刻蝕的方式在p型層中刻蝕周期性的孔洞。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的周期性的孔洞在ICP干法刻蝕后用堿性溶液腐蝕修飾孔洞的坑底與側(cè)壁，形成光滑的內(nèi)表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述堿性溶液采用KOH堿性溶液。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4任一所述的新型紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的周期性的孔洞在80攝氏度的溫度下腐蝕修飾坑底與側(cè)壁。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，將紫外DBR層蒸鍍到周期性的孔洞中。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述紫外DBR層包括多層SiO₂膜層和多層Ta₂O₅膜層，所述SiO₂膜層和Ta₂O₅膜層相互周期性反復(fù)疊加設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的新型紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述SiO₂膜層的厚度大于1nm小于50nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的新型紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述Ta₂O₅膜層的厚度大于1nm小于50nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求7至9任一所述的新型紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述SiO₂膜層和Ta₂O₅膜層相互周期性反復(fù)疊加的次數(shù)大于3小于1000。