[發(fā)明專利]一種紫外LED芯片結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010761695.0
• 申請日: 2020-07-31
• 公開（公告）號: CN111769187B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周啟航
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山紫熙慧眾科技有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32
• 代理公司: 佛山市海融科創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;唐敏珊

1.一種紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括由下至上依次設(shè)置的n型層、有源區(qū)多量子阱和p型層，在p型層的上表面設(shè)置一層AlN/AlGaN空穴電流擴(kuò)展異質(zhì)結(jié)構(gòu)，所述AlN/AlGaN空穴電流擴(kuò)展異質(zhì)結(jié)構(gòu)包括由下至上依次設(shè)置的AlGaN層和AlN層，所述AlN/AlGaN空穴電流擴(kuò)展異質(zhì)結(jié)構(gòu)中AlN的厚度小于20nm大于3nm；所述AlN/AlGaN空穴電流擴(kuò)展異質(zhì)結(jié)構(gòu)中AlGaN的厚度小于50nm大于5nm；所述的AlN/AlGaN空穴電流擴(kuò)展異質(zhì)結(jié)構(gòu)在其異質(zhì)界面中形成載流子遷移率23cm²/（伏·秒）以上的空穴溝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述n型層為氮化物N型層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述p型層為氮化物p型層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括襯底和緩沖層，所述襯底、緩沖層、n型層、有源區(qū)多量子阱、p型層由下至上依次設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlN/AlGaN空穴電流擴(kuò)展異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延在紫外芯片的氮化物p型層表面，其中AlGaN中的Al組分的質(zhì)量占整個AlN/AlGaN空穴電流擴(kuò)展異質(zhì)結(jié)構(gòu)質(zhì)量的百分比介于0到30%之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlN/AlGaN空穴電流擴(kuò)展異質(zhì)結(jié)構(gòu)表面的金屬電極位于紫外LED芯片的表面邊緣處。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlN/AlGaN空穴電流擴(kuò)展異質(zhì)結(jié)構(gòu)表面的金屬電極原子利用熱擴(kuò)散或者離子注入的方式擴(kuò)散進(jìn)入AlN/AlGaN空穴電流擴(kuò)展異質(zhì)結(jié)構(gòu)的溝道中。