[發(fā)明專利]一種新型的紫外LED的p型隧穿接觸層外延方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010761689.5
• 申請日: 2020-07-31
• 公開（公告）號: CN111769183B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周啟航
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山紫熙慧眾科技有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 佛山市海融科創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;唐敏珊

1.一種新型的紫外LED的p型隧穿接觸層外延方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

S1：在紫外LED的p型氮化物層表面鋪設(shè)第一石墨烯層；

S2：通過外延的方式在第一石墨烯層表面生長AlN（氮化鋁）層；

S3：利用AlN原子的擴(kuò)散，在第一石墨烯層與p型氮化物層之間形成AlN二維材料，且對該AlN二維材料進(jìn)行n型摻雜；

S4：去除第一石墨烯層；

S5：在二維AlN表面鋪設(shè)一層第二石墨烯層；

S6：在第二石墨烯層的表面外延生長p型摻雜的InGaN（銦鎵氮）層，使得InGaN原子擴(kuò)散到AlN層與第二石墨烯層之間的界面形成InGaN二維材料；

S7：去除第二石墨烯層；

S8：在二維InGaN表面鋪設(shè)一層第三石墨烯層；

S9：在第三石墨烯層的表面外延生長n型摻雜的AlN層，使得AlN原子擴(kuò)散到InGaN層與第三石墨烯層之間的界面形成AlN二維材料；

S10：多次循環(huán)執(zhí)行步驟S5至步驟S9，以在紫外LED的p型隧穿接觸層表面形成AlN/InGaN超晶格隧穿異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型的紫外LED的p型隧穿接觸層外延方法，其特征在于，所述石墨烯層是多層二維材料，1≤石墨烯層的層數(shù)1000。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型的紫外LED的p型隧穿接觸層外延方法，其特征在于，所述石墨烯層是n型摻雜材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型的紫外LED的p型隧穿接觸層外延方法，其特征在于，所述石墨烯層的摻雜濃度為10⁵cm^-3到10²⁰cm^-3之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型的紫外LED的p型隧穿接觸層外延方法，其特征在于，所述S10中，循環(huán)執(zhí)行步驟S5至步驟S9的次數(shù)大于1小于1000。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型的紫外LED的p型隧穿接觸層外延方法，其特征在于，所述的AlN二維材料為n型摻雜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的新型的紫外LED的p型隧穿接觸層外延方法，其特征在于，所述n型摻雜雜質(zhì)為Si雜質(zhì)或Zn雜質(zhì)，摻雜濃度為10⁵cm^-3到10²⁰cm^-3之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型的紫外LED的p型隧穿接觸層外延方法，其特征在于，所述InGaN二維材料為p型摻雜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的新型的紫外LED的p型隧穿接觸層外延方法，其特征在于，所述p型摻雜雜質(zhì)為Mg雜質(zhì)，摻雜濃度為10⁵cm^-3到10²⁰cm^-3之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型的紫外LED的p型隧穿接觸層外延方法，其特征在于，所述的AlN/InGaN超晶格隧穿異質(zhì)結(jié)構(gòu)為空穴的隧穿異質(zhì)結(jié)構(gòu)。