[發明專利]形成用于半導體的電容器結構的方法和電容器

在審

• 申請號: 202010761525.2
• 申請日: 2020-07-31
• 公開（公告）號: CN114068414A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 許民;張鉉瑀;吳容哲;姜東勛;楊濤;李俊峰;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 劉廣達

1.一種形成用于半導體的電容器結構的方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成多個柱形存儲電極；

在每個柱形存儲電極的頂部形成側墻形狀的第一支撐體，其中，第一支撐體的上表面與所述柱形存儲電極的頂部齊平，多個第一支撐體形成第一支撐層；

基于所述第一支撐體，在第一支撐層之下形成支撐柱形存儲電極的其他支撐層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，其中形成柱形存儲電極的步驟進一步包括：

在基板上依次形成阻擋層、第一模制層、第一隔離層、第二模制層和犧牲層；

使用光刻膠的曝光和刻蝕在所述犧牲層、第二模制層、第一隔離層、第一模制層和阻擋層中形成多個槽孔；

在每個槽孔內沉積存儲電極，形成多個柱形存儲電極，其中存儲電極的頂部與所述犧牲層齊平。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，其中在每個柱形存儲電極的頂部形成側墻形狀的第一支撐體的步驟進一步包括：

對犧牲層進行刻蝕，暴露所述柱形存儲電極的部分外壁和所述第二模制層；

沉積第二隔離層，覆蓋所述柱形存儲電極和所述第二模制層；

刻蝕第二隔離層，使第二隔離層在每個所述柱形存儲電極頂部外壁形成側墻形狀的環形第一支撐體，相鄰的柱形存儲電極的第一支撐體形成網狀或格狀的第一支撐層。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，其中基于所述第一支撐體，形成支撐柱形存儲電極的其他支撐層的步驟進一步包括：

基于所述第一支撐體，刻蝕并去除第二模制層；

基于所述第一支撐體，刻蝕第一隔離層和第一模制層；

去除第一模質層，使第一隔離層形成支撐柱形存儲電極的環形第二支撐體，多個第二支撐體形成網狀或格狀的第二支撐層。

5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，其中所述對犧牲層進行刻蝕包括各向異性刻蝕。

6.如權利要求4所述的方法，其特征在于，其中在刻蝕第一隔離層和第一模制層后，還包括如下步驟：

在柱形存儲電極內外形成介電質膜和上電極，其中柱形存儲電極為下電極。

7.如權利要求2所述的方法，其特征在于，其中犧牲層的材料，進一步地為二氧化硅和/或氮化硅。

8.如權利要求2所述的方法，其特征在于，其中犧牲層的厚度，進一步地為大于等于1納米至小于等于500納米。

9.一種用于半導體的電容器結構，其特征在于，包括：

多個柱形存儲電極；

用于支撐柱形存儲電極的多個支撐層，其中，

一個支撐層的上表面與所述柱形存儲電極的頂部齊平。

10.如權利要求9所述的電容器結構，其特征在于，其中位于所述柱形存儲電極頂部的支撐層為側墻形狀。

11.如權利要求9所述的電容器結構，其特征在于，其中各所述柱形存儲電極的外壁在柱形多個軸向位置處被多個環形支撐體包裹，位于同一軸向位置平面的多個支撐體形成一個網狀或格狀的支撐層。

12.如權利要求9所述的電容器結構，其特征在于，其中多個支撐層包括各所述柱形存儲電極頂部的第一支撐層和各所述存儲電極外壁的上部與阻擋層之間的網狀或格狀的第二支撐層。