[發(fā)明專利]LED芯片及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010761444.2
• 申請日: 2020-07-31
• 公開（公告）號: CN114068780A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 聚燦光電科技（宿遷）有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

1.一種LED芯片，包括襯底和設(shè)于其上的外延層，其特征在于，

所述襯底具有相對的頂面和底面，所述頂面與所述外延層相接，所述襯底內(nèi)設(shè)有一連通所述頂面和所述底面的通孔，于所述通孔內(nèi)暴露出所述外延層；

所述通孔內(nèi)設(shè)有第一電極，所述第一電極具有相對的第一端面和第二端面，所述第一端面與所述外延層電性連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二端面與所述底面相互平齊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一電極的側(cè)壁貼合于所述通孔的內(nèi)壁面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延層包括依次層疊的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層，所述N型半導(dǎo)體層與所述頂面相接，所述N型半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層、所述P型半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層的側(cè)壁面均相互平齊。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述導(dǎo)電層上設(shè)有第二電極，所述導(dǎo)電層和P型半導(dǎo)體層之間還設(shè)有一電流阻擋層，所述電流阻擋層覆蓋于所述第二電極下方區(qū)域。

6.一種LED芯片制造方法，其特征在于，包括步驟：

提供一襯底，于所述襯底頂面上生長外延層；

在所述襯底內(nèi)制作一貫通的通孔，暴露出所述外延層；

在所述通孔內(nèi)制作第一電極，電連接于所述外延層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED芯片制造方法，其特征在于，“于所述襯底頂面上生長外延層”具體包括：

于所述襯底頂面上依次生長N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層、電流阻擋層和導(dǎo)電層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片制造方法，其特征在于，生長外延層后還包括步驟：

于所述導(dǎo)電層上制作與其電性連接并位于所述電流阻擋層上方區(qū)域內(nèi)的第二電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED芯片制造方法，其特征在于，制作所述通孔具體包括：

在所述襯底相對于所述頂面的底面上涂覆光阻層；

通過掩膜版顯影制備所述第一電極圖形；

干法刻蝕所述第一電極圖形，形成所述通孔。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED芯片制造方法，其特征在于，制作所述第一電極具體包括：

在所述通孔及所述光阻層上蒸鍍金屬層，至所述金屬層與所述底面平齊或超出所述底面；

剝離去除所述光阻層，得到所述第一電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED芯片制造方法，其特征在于，在制作通孔之前還包括步驟：

在所述LED芯片的正面制作一層保護層；

在得到第一電極后，去除所述保護層。