[發明專利]一種錳酸鈷/硫化鎳核殼陣列結構電極材料的制備方法在審
| 申請號： | 202010761330.8 | 申請日： | 2020-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN111986929A | 公開（公告）日： | 2020-11-24 |
| 發明（設計）人： | 孟素慈;徐箐;王銀濤;姜德立;陳敏 | 申請（專利權）人： | 江蘇大學 |
| 主分類號： | H01G11/24 | 分類號： | H01G11/24;H01G11/30;C01G51/00;C01G53/11;B82Y30/00 |
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| 地址： | 212013 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 錳酸鈷 硫化 鎳核殼 陣列 結構 電極 材料 制備 方法 | ||
1.一種錳酸鈷/硫化鎳核殼陣列結構電極材料的制備方法，其特征在于，通過電化學沉積法制備錳酸鈷/硫化鎳三維自支撐核/殼陣列結構復合材料，具體步驟如下：以泡沫鎳為基底的錳酸鈷納米針陣列的電極材料為工作電極、鉑片為對電極、飽和Ag/AgCl為參比電極；含有CoCl2·6H2O、NiCl2·6H2O和CH4N2S的混合水溶液作為沉積用的電解液，沉積技術采用CV法，循環沉積5-30圈，電化學沉積結束之后使用去離子水和乙醇交替洗滌并干燥，即得到以錳酸鈷納米針為核、硫化鎳納米片為殼的核殼陣列結構的錳酸鈷/硫化鎳核殼陣列結構電極材料。
2.如權利要求1所述的一種錳酸鈷/硫化鎳核殼陣列結構電極材料的制備方法，其特征在于，所用泡沫鎳的面積為2-12cm2，厚度為1.7mm，泡沫鎳使用前依次用丙酮、鹽酸、乙醇和去離子水超聲清洗并干燥。
3.如權利要求1所述的一種錳酸鈷/硫化鎳核殼陣列結構電極材料的制備方法，其特征在于，沉積技術采用的CV法參數設置為：電壓窗口為-1.2-0.2V，電壓的掃描速率為10mV s-1。
4.如權利要求1所述的一種錳酸鈷/硫化鎳核殼陣列結構電極材料的制備方法，其特征在于，所述的干燥指在真空干燥箱中60℃下干燥4-8h。
5.如權利要求1所述的一種錳酸鈷/硫化鎳核殼陣列結構電極材料的制備方法，其特征在于，含有CoCl2·6H2O、NiCl2·6H2O和CH4N2S的混合水溶液中，CoCl2·6H2O的濃度為5mM，NiCl2·6H2O的濃度為7.5mM，CH4N2S的濃度為0.75M。
6.如權利要求1-5任一方法制備的錳酸鈷/硫化鎳核殼陣列結構電極材料的用途，其特征在于，用作超級電容器的電極材料。
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