[發(fā)明專利]一種基于透明電極的α-硒化銦二維光電探測器

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• 申請日: 2020-07-31
• 公開（公告）號: CN112071940A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 牛剛;孫延笑;趙金燕;史鵬;任巍
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: H01L31/101
• 分類號: H01L31/101;H01L31/0216;H01L31/0392
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 房鑫

1.一種基于透明電極的α-硒化銦二維光電探測器，其特征在于，包括自上到下依次分布的α-硒化銦二維鐵電半導體層(3)、二氧化鉿電介質(zhì)層(2)及摻雜硅襯底(1)，其中，α-硒化銦二維鐵電半導體層(3)上設置有透明電極(4)。

2.根據(jù)權利要求1所述的基于透明電極的α-硒化銦二維光電探測器，其特征在于，摻雜硅襯底(1)為n-摻雜硅襯底或者p-摻雜硅襯底。

3.根據(jù)權利要求1所述的基于透明電極的α-硒化銦二維光電探測器，其特征在于，二氧化鉿電介質(zhì)層(2)的厚度為10-15mm。

4.根據(jù)權利要求1所述的基于透明電極的α-硒化銦二維光電探測器，其特征在于，α-硒化銦二維鐵電半導體層(3)的厚度為50-100mm。

5.根據(jù)權利要求1所述的基于透明電極的α-硒化銦二維光電探測器，其特征在于，透明電極(4)的厚度小于100nm。

6.根據(jù)權利要求1所述的基于透明電極的α-硒化銦二維光電探測器，其特征在于，透明電極(4)為石墨烯薄膜、銦錫氧化物半導體透明導電膜或者超薄金屬層。

7.根據(jù)權利要求6所述的基于透明電極的α-硒化銦二維光電探測器，其特征在于，透明電極(4)的制備過程為：先在α-硒化銦二維鐵電半導體層(3)上濕法轉(zhuǎn)移石墨烯，再進行低溫退火處理，然后在α-硒化銦二維鐵電半導體層(3)上旋涂光刻膠，利用光刻技術繪制透明電極(4)，再利用離子反應刻蝕去除沒有光刻膠覆蓋的石墨烯，最后用丙酮溶液去除光刻膠，得透明電極(4)。

8.根據(jù)權利要求7所述的基于透明電極的α-硒化銦二維光電探測器，其特征在于，低溫退火的溫度為100-150℃，退火時間為0.5h。