[發明專利]一種基于法諾共振的磁場探測器

在審

• 申請號: 202010760192.1
• 申請日: 2020-07-31
• 公開（公告）號: CN111880128A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 西安柯萊特信息科技有限公司
• 主分類號: G01R33/032
• 分類號: G01R33/032
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提供了一種基于法諾共振的磁場探測器，磁致伸縮部周期性地置于襯底上，貴金屬部為倒立的桶形，貴金屬部套在磁致伸縮部外，光源發射連續譜光照射貴金屬部，光探測器接收反射光譜，在待測磁場作用下，磁致伸縮部伸長，改變反射光譜，根據所測反射光譜實現磁場探測。本發明中，在貴金屬部與襯底之間的耦合產生法諾共振，因為法諾共振的共振波長對產生耦合的兩部分之間的距離非常敏感，本發明應用磁致伸縮部改變貴金屬部與襯底之間的距離，所以本發明具有磁場探測靈敏度高的優點。

技術領域

本發明涉及磁場探測領域，具體涉及一種基于法諾共振的磁場探測器。

背景技術

磁場與人類的生產和生活密切相關。傳統的磁場探測多是基于霍爾效應、磁阻效應、磁通門效應及隧道效應的。傳統磁場探測的靈敏度低，不能夠滿足高靈敏度磁場探測需要。探索基于新原理的磁場探測方案，有助于提高磁場探測的靈敏度。

發明內容

為解決以上問題，本發明提供了一種基于法諾共振的磁場探測器，包括光源、光探測器、襯底、貴金屬部、磁致伸縮部，磁致伸縮部周期性地置于襯底上，貴金屬部為倒立的桶形，貴金屬部套在磁致伸縮部外，光源發射連續譜光照射貴金屬部，光探測器接收反射光譜，在待測磁場作用下，磁致伸縮部伸長，改變反射光譜，根據所測反射光譜實現磁場探測。

更進一步地，襯底為高折射率介質。

更進一步地，襯底為硅。

更進一步地，貴金屬部與襯底不接觸。

更進一步地，貴金屬部與襯底之間的距離大于1納米、小于60納米。

更進一步地，在磁致伸縮部的下面，襯底上設有凹坑，凹坑內設有磁致伸縮材料，磁致伸縮材料與磁致伸縮部的材料相同。

更進一步地，凹坑的寬度小于磁致伸縮部的寬度。

更進一步地，凹坑置于磁致伸縮部中央對應的位置。

更進一步地，貴金屬部的材料為金、銀、鉑。

更進一步地，磁致伸縮部的材料為鎳合金、鐵基合金、鐵氧體材料。

本發明的有益效果：本發明提供了一種基于法諾共振的磁場探測器，磁致伸縮部周期性地置于襯底上，貴金屬部為倒立的桶形，貴金屬部套在磁致伸縮部外，光源發射連續譜光照射貴金屬部，光探測器接收反射光譜，在待測磁場作用下，磁致伸縮部伸長，改變反射光譜，根據所測反射光譜實現磁場探測。本發明中，在貴金屬部與襯底之間的耦合產生法諾共振，因為法諾共振的共振波長對產生耦合的兩部分之間的距離非常敏感，本發明應用磁致伸縮部改變貴金屬部與襯底之間的距離，所以本發明具有磁場探測靈敏度高的優點。

以下將結合附圖對本發明做進一步詳細說明。

附圖說明

圖1是一種基于法諾共振的磁場探測器的示意圖。

圖2是又一種基于法諾共振的磁場探測器的示意圖。

圖3是再一種基于法諾共振的磁場探測器的示意圖。

圖中：1、襯底；2、貴金屬部；3、磁致伸縮部。

具體實施方式

為進一步闡述本發明達成預定目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及實施例對本發明的具體實施方式、結構特征及其功效，詳細說明如下。

實施例1