[發明專利]一種正極性LED芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 202010759320.0
• 申請日: 2020-07-31
• 公開（公告）號: CN111864018A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 徐洲;王洪占;杭偉;吳奇隆;蔡和勛;蔡端俊
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/12;H01L33/24;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 姚璐華

本發明提供了一種正極性LED芯片及其制作方法，外延結構層的四周側壁為傾斜側壁，傾斜側壁與外延結構層底面的夾角為銳角，且覆蓋外延結構層四周側壁和頂面的第一電極具有第一鏤空區域，第一鏤空區域暴露出外延結構層頂面的部分區域，因此，發光結構層發出的光線可以從第一鏤空區域出射，并且，由于第一電極與覆蓋外延結構層四周側壁的絕緣層構成ODR層，因此，會對發光結構層發射到四周側壁的光線進行反射，此外，外延結構層中位于其底面的DBR反射層也會對發光結構層發出的光線進行反射，從而使得發光結構層發出的光線僅從第一鏤空區域出射，進而使得LED芯片的出光角度較小，能夠滿足精密的對射式光電開關等特殊領域的要求。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，更具體地說，涉及一種正極性LED芯片及其制作方法。

背景技術

常規的正極性LED芯片的出光面包括芯片的正面和四個側壁，也就是說，常規的正極性LED芯片為五面出光的芯片。但是，在精密的對射式光電開關等特殊領域，要求LED芯片的發光角度很小，且側壁無雜散光出射，這就導致常規的正極性LED芯片無法滿足其使用要求。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種正極性LED芯片及其制作方法，以減小正極性LED芯片的發光角度，使其滿足精密的對射式光電開關等特殊領域的要求。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種正極性LED芯片，包括：

襯底；

位于所述襯底正面的外延結構層，所述外延結構層包括依次位于所述襯底表面的緩沖層、發光結構層和窗口層，所述外延結構層的四周側壁為傾斜側壁，所述傾斜側壁與所述外延結構層底面的夾角為銳角；

覆蓋所述外延結構層四周側壁的絕緣層；

覆蓋所述外延結構層四周側壁和頂面的第一電極，所述第一電極與所述外延結構層的頂面歐姆接觸，所述第一電極與所述絕緣層構成ODR層，所述第一電極具有第一鏤空區域，所述第一鏤空區域暴露出所述外延結構層頂面的部分區域，以使所述發光結構層發出的光線從所述第一鏤空區域出射；

位于所述襯底背面的第二電極。

可選地，所述傾斜側壁與所述外延結構層底面的夾角的范圍為大于5°、小于或等于85°。

可選地，所述LED芯片具有切割溝道，所述切割溝道延伸至所述襯底，并使所述外延結構層形成傾斜側壁；所述絕緣層完全覆蓋所述切割溝道的底部及所述傾斜側壁、部分覆蓋所述外延結構層的頂面；所述外延結構層的頂面與傾斜側壁交界處的邊緣至少1微米寬度的區域完全被所述絕緣層覆蓋。

可選地，所述鏤空區域的形狀為圓形、多邊形或不連續的圓環形。

可選地，所述第一電極與所述外延結構層的頂面歐姆接觸的區域為第一區域，所述第一區域與焊線電連接。

可選地，還包括位于所述第一區域的電極加厚層，所述電極加厚層位于所述第一電極和所述焊線之間，且所述電極加厚層與所述第一電極和所述焊線電連接。

一種正極性LED芯片的制作方法，包括：

在襯底正面形成外延結構層，所述外延結構層包括依次形成在所述襯底表面的緩沖層、發光結構層和窗口層；

沿預設切割溝道對所述外延結構層進行刻蝕，使不同芯片區域的外延結構層之間形成切割溝道，并使所述外延結構層的四周側壁成為傾斜側壁，所述傾斜側壁與所述外延結構層底面的夾角為銳角；

在所述外延結構層的四周側壁形成絕緣層；