[發(fā)明專(zhuān)利]電接點(diǎn)材料、端子配件、連接器及線束有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010757556.0 | 申請(qǐng)日： | 2020-07-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112332138B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-06-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 白井善晶;齋藤寧;古川欣吾;公文代充弘;細(xì)江晃久 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 株式會(huì)社自動(dòng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)研究所;住友電裝株式會(huì)社;住友電氣工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01R13/03 | 分類(lèi)號(hào)： | H01R13/03 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 任天諾;高培培 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 接點(diǎn) 材料 端子 配件 連接器 | ||
1.一種電接點(diǎn)材料，具備：
基材；
設(shè)置于所述基材的表面的包覆層；及
設(shè)置于所述包覆層的表面的氧化物層，
所述基材含Cu，
所述包覆層具有從所述基材側(cè)依次設(shè)置于所述基材的表面的第一層及第二層，
所述第一層含Zn、Cu及Sn，
所述第二層含Sn，
所述第二層的厚度為0.50μm以下，
所述氧化物層由含Zn、Cu及Sn的氧化物構(gòu)成，
在將負(fù)載載荷設(shè)為1N、將滑動(dòng)速度設(shè)為100μm/sec、將行程設(shè)為50μm、將往復(fù)次數(shù)設(shè)為10次而使半徑1mm的球狀的壓頭相對(duì)于所述氧化物層直線狀地滑動(dòng)時(shí)，所述往復(fù)次數(shù)從1次到10次的最大的接觸電阻為5mΩ以下。
2.一種電接點(diǎn)材料，具備：
基材；
設(shè)置于所述基材的表面的包覆層；及
設(shè)置于所述包覆層的表面的氧化物層，
所述基材含Cu，
所述包覆層具有從所述基材側(cè)依次設(shè)置于所述基材的表面的基礎(chǔ)層、第一層及第二層，
所述基礎(chǔ)層含Ni，
所述第一層含Ni、Zn、Cu及Sn，
所述第二層含Sn，
所述第二層的厚度為0.50μm以下，
所述氧化物層由含Zn、Cu及Sn的氧化物構(gòu)成，
在將負(fù)載載荷設(shè)為1N、將滑動(dòng)速度設(shè)為100μm/sec、將行程設(shè)為50μm、將往復(fù)次數(shù)設(shè)為10次而使半徑1mm的球狀的壓頭相對(duì)于所述氧化物層直線狀地滑動(dòng)時(shí)，所述往復(fù)次數(shù)從1次到10次的最大的接觸電阻為5mΩ以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電接點(diǎn)材料，其中，
在將所述往復(fù)次數(shù)設(shè)為100時(shí)，所述往復(fù)次數(shù)從1次到100次的最大的接觸電阻為5mΩ以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電接點(diǎn)材料，其中，
在將所述往復(fù)次數(shù)設(shè)為100時(shí)，所述往復(fù)次數(shù)從1次到100次的最大的接觸電阻為5mΩ以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的電接點(diǎn)材料，其中，
在將所述第一層所含的C、O、Zn、Cu及Sn的合計(jì)含有量設(shè)為100原子％時(shí)，所述第一層所含的Zn、Cu及Sn的各自的含有量如下：
Zn為0.01原子％以上且50原子％以下，
Cu為10原子％以上且90原子％以下，
Sn為10原子％以上且90原子％以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的電接點(diǎn)材料，其中，
在將所述第一層所含的C、O、Ni、Zn、Cu及Sn的合計(jì)含有量設(shè)為100原子％時(shí)，所述第一層所含的Ni、Zn、Cu及Sn的各自的含有量如下：
Ni為15原子％以上且35原子％以下，
Zn為5原子％以上且30原子％以下，
Cu為1原子％以上且30原子％以下，
Sn為25原子％以上且55原子％以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電接點(diǎn)材料，其中，
所述第一層的厚度為0.1μm以上且5.0μm以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電接點(diǎn)材料，其中，
所述第一層的厚度為0.1μm以上且5.0μm以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電接點(diǎn)材料，其中，
所述第一層的厚度為0.1μm以上且5.0μm以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電接點(diǎn)材料，其中，
所述氧化物層的厚度為0.01μm以上且5.0μm以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電接點(diǎn)材料，其中，
所述氧化物層的厚度為0.01μm以上且5.0μm以下。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電接點(diǎn)材料，其中，
所述氧化物層的厚度為0.01μm以上且5.0μm以下。
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