[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010752868.2
• 申請日: 2020-07-30
• 公開（公告）號: CN111863611B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓瑞津;曾輝
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 上海思捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成頂層金屬互聯(lián)層之后，執(zhí)行氫鈍化工藝，所述氫鈍化工藝的反應(yīng)溫度及反應(yīng)時(shí)間分別介于第一設(shè)定范圍及第二設(shè)定范圍，并且，所述氫鈍化工藝的反應(yīng)溫度及反應(yīng)時(shí)間負(fù)相關(guān)；

通過對各修復(fù)界面態(tài)缺陷密度的活化能及解離能做離散化，對界面態(tài)缺陷密度及活化能進(jìn)行乘積、加和得到界面態(tài)缺陷密度與反應(yīng)時(shí)間、反應(yīng)溫度的關(guān)系圖，并根據(jù)所述關(guān)系圖得到所述第一設(shè)定范圍和所述第二設(shè)定范圍，所述第一設(shè)定范圍為390℃～440℃，所述第二設(shè)定范圍為600s～3000s。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述氫鈍化工藝的反應(yīng)氣體包括氫氣，氫氣的濃度范圍為4.15×10^-3mol/L～1.41×10^-2mol/L。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第一設(shè)定范圍為410℃～440℃，所述第二設(shè)定范圍為600s～2000s。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，當(dāng)所述反應(yīng)溫度為410℃時(shí)，所述反應(yīng)時(shí)間為1800s～2000s；當(dāng)所述反應(yīng)溫度為430℃時(shí)，所述反應(yīng)時(shí)間為1000s～1200s；當(dāng)所述反應(yīng)溫度為440℃時(shí)，所述反應(yīng)時(shí)間為600s～900s。

5.如權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述氫鈍化工藝的反應(yīng)氣體為純氫氣。

6.如權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述氫鈍化工藝的反應(yīng)氣體包括氫氣及惰性氣體。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述惰性氣體包括氮?dú)夂?或氬氣。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括金屬氧化物場效應(yīng)管。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述氫鈍化工藝的反應(yīng)溫度及反應(yīng)時(shí)間非線性負(fù)相關(guān)。