[發明專利]一種柵極、薄膜晶體管的制作方法和顯示面板

在審

• 申請號: 202010752766.0
• 申請日: 2020-07-30
• 公開（公告）號: CN111883582A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 卓恩宗;夏玉明;李偉
• 申請（專利權）人: 北海惠科光電技術有限公司;惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336;H01L29/786;H01L27/32;G02F1/1343
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

本申請公開了一種柵極、薄膜晶體管的制作方法和顯示面板，包括步驟：在襯底上利用物理氣相沉積鋁金屬膜；在鋁金屬膜上方利用原子層沉積鉬金屬膜；蝕刻鋁金屬膜和鉬金屬膜以形成預設圖案的柵極；通過兩種不同的方法分別制成兩層不同的鋁金屬膜和鉬金屬膜作為柵極，所述鋁采用物理氣相沉積，成膜均勻致密，提高電子的遷移率，增強導電率，所述鉬采用原子層沉積技術制成，鉬金屬膜階梯覆蓋率，沉積的密度均勻，使得導電性較強，同時鉬金屬膜表面平坦，致密度和平整度較強，對后續制程不會造成殘留，提高鉬金屬膜的界面特性，同時，若用原子層沉積技術制作鋁金屬膜，所需的時間較長，分開不同的技術方法制程，避免影響產能。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種柵極、薄膜晶體管的制作方法和顯示面板。

背景技術

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示屏)是微電子技術與液晶顯示器技術巧妙結合的一種技術，其中TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶體管)作為像素的開關，薄膜晶體管打開時，像素的像素電極接收數據線傳來的數據電壓，與對側基板的公共電極形成電壓差，使得液晶分子發生偏轉，顯示畫面。

隨著消費者對于清晰度追求的不斷提高，顯示面板分辨率的提高使得像素密度(PPI，Pixels Per Inch)不斷提高，對應的，每英寸的薄膜晶體管的數量也在不斷提高，對于薄膜晶體管的性能的要求也不斷提高。因而，如何提供一種兼顧性能和產能的薄膜晶體管成為亟待解決的技術問題。

發明內容

本申請的目的是提供一種柵極、薄膜晶體管的制作方法和顯示面板，提高性能和產能。

本申請公開了一種柵極的制作方法,包括步驟：

在襯底上利用物理氣相沉積鋁金屬膜；

在鋁金屬膜上方利用原子層沉積鉬金屬膜；以及

蝕刻鋁金屬膜和鉬金屬膜以形成預設圖案的柵極。

可選的，所述鋁金屬膜的沉積厚度3500A-4500A。

可選的，所述在鋁金屬膜上方利用原子層沉積鉬金屬膜的步驟包括子步驟：

A:將形成有鋁金屬膜的襯底放置于原子層沉積裝置的反應腔室內；

B:在原子層沉積裝置中持續通入預設時間的鉬前驅體，完成鉬前驅體通入后停留預設的時間，通入惰性氣體吹掃；

C:在原子層沉積裝置中持續通入預設時間的還原氣體，完成還原氣體通入后停留預設的時間，通入惰性氣體吹掃；以及

D:將上述步驟B和C重復執行預設次數以形成鉬金屬膜。

可選的，所述鉬前驅體為六羰基鉬、氯化鉬、氟化鉬中的至少一種；

所述還原氣體包括等離子體H₂；

所述惰性氣體包括氬氣和氦氣中的至少一種。

可選的，所述鉬前驅體的持續通入預設時間均在0.01秒至0.5秒之間，完成鉬前驅體通入后停留預設的時間為2-20s；所述還原氣體通入預設的時間在0.005秒至0.3秒之間，完成還原氣體的通入后停留預設的時間為2-20s；通入惰性氣體吹掃的時間為5-30秒之間；所述預設次數為30-1000次。

可選的，所述鉬前驅體的通入速率為20sccm，所述鉬前驅體和所述還原氣體的通入速率相同。

可選的，所述原子層沉積裝置的反應腔室內的溫度為400-600℃，所述原子層沉積裝置的反應腔室內真空度為0.01-0.05托爾。

可選的，所述鉬金屬膜沉積厚度100A-450A。