[發(fā)明專(zhuān)利]一種PN結(jié)硅微球的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010751539.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111863604B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 洪捐;蒯源;程鹍;張澤新 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 鹽城工學(xué)院 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/228 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/228;H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人: | 殷星 |
| 地址: | 221051 *** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 pn 結(jié)硅微球 制備 方法 | ||
1.一種PN結(jié)硅微球的制備方法,其特征在于,其包括如下步驟:
步驟1,量取粒徑為0.5~30μm?的N型硅微球;
步驟2,將N型硅微球置于體積分?jǐn)?shù)為1~10%的氫氟酸溶液中,超聲輔助下浸泡5~30分鐘;
步驟3,超聲結(jié)束后,依次用去離子水和無(wú)水乙醇離心沖洗;
步驟4,將清洗后的N型硅微球在80-120℃下真空干燥1-5h;
步驟5,干燥后的N型硅微球置于含硼元素?fù)诫s劑溶液中充分浸潤(rùn);
步驟6,將浸潤(rùn)過(guò)的N型硅微球在80-120℃下真空干燥1-5h;
步驟7,將干燥后的N型硅微球置于擴(kuò)散爐中,惰性氣氛下,800~1100℃下擴(kuò)散1~60min,擴(kuò)散深度范圍為50~500nm,擴(kuò)散濃度5×1017~1×1021atoms/cm3;
步驟8,將擴(kuò)散后的N型硅微球放置于體積分?jǐn)?shù)為0.5-2%氫氟酸溶液中,在超聲輔助下浸泡1-5min;
步驟9,去離子水離心清洗后再用無(wú)水乙醇清洗;
步驟10,80-120℃下真空干燥1-5h后即得PN結(jié)硅微球。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PN結(jié)硅微球的制備方法,其特征在于,步驟1中所述N型硅微球?yàn)閱尉Щ蚨嗑В琋型硅微球中的摻雜元素為磷、砷或銻中一種或多種混合,摻雜濃度1×1014~1×1021?atoms/cm3,所述N型硅微球的制備方法為脈沖放電法,火焰合成法或等離子體法。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PN結(jié)硅微球的制備方法,其特征在于,步驟2中超聲輔助的頻率為20~150KHz,輔助時(shí)間1~20?min,氫氟酸溶液和N型硅微球的體積比大于2:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PN結(jié)硅微球的制備方法,其特征在于,步驟3中離心沖洗的轉(zhuǎn)速為5000~10000?r/min,依次沖洗均重復(fù)3~5次;沖洗過(guò)程中需超聲輔助,超聲頻率為20-150KHz,輔助時(shí)間1-5?min;所用去離子水的體積、無(wú)水乙醇的體積分別與N型硅微球的體積比均大于3:1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PN結(jié)硅微球的制備方法,其特征在于,步驟5中所述的摻雜劑溶液為硼酸的無(wú)水乙醇溶液或氧化硼的無(wú)水乙醇溶液中一種或兩種混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PN結(jié)硅微球的制備方法,其特征在于,步驟7中惰性氣體為氮?dú)饣驓鍤狻?/p>
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PN結(jié)硅微球的制備方法,其特征在于步驟8中超聲輔助頻率為20-150KHz,輔助時(shí)間1-5min,氫氟酸溶液和N型硅微球的體積比大于2:1。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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